"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур
Захарьин А.О.1, Васильев Ю.Б.1, Соболев Н.А.1, Забродский В.В.1, Егоров С.В.2, Андрианов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный горный университет, Санкт-Петербург, Россия .andrianov
Email: alex.andrianov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

В кремниевых p+-n-структурах обнаружена инжекционная электролюминесценция в терагерцовом диапазоне при гелиевых температурах. Исследовались структуры, созданные диффузией бора в легированный фосфором n-кремний. В спектрах терагерцового излучения на фоне широкого плавного фона наблюдаются сравнительно узкие линии люминесценции. Спектральное положение ряда линий соответствует оптическим переходам в донорах фосфора. Внутрицентровые переходы электронов в донорах фосфора возбуждаются в результате рекомбинационных процессов, происходящих в n-области структуры при инжекции неравновесных дырок. Ряд других линий в спектрах терагерцового излучения связан с внутрицентровыми переходами в акцепторных центрах, которые также возбуждаются в результате инжекции. Бесструктурный фон в спектрах электролюминесценции может быть связан с излучением при внутризонной энергетической релаксации горячих" носителей заряда, с эффективной температурой, превышающей температуру решетки, которые появляются в структуре в условиях инжекции. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44420.8432
  1. M. Hangyo. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 120101 (2015)
  2. Terahertz spectroscopy and imaging, ed. by K.-E. Peiponen, J.A. Zeitler, M. Kuwata-Gonokami (Spriger-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2013)
  3. P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 50, 910 (2002)
  4. R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi. Nature, 417, 156 (2002)
  5. B.S. Williams. Nature Photonics, 1, 517 (2007)
  6. S.H. Koenig, R.D. Brown. Phys. Rev. Lett., 4, 170 (1960)
  7. Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, K.A. Korolev, V.P. Sinis, M.S. Kagan, E.E. Haller, M.A. Odnobludov, I.N. Yassievich, K.-A. Chao. Appl. Phys. Lett., 75, 757 (1999)
  8. T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83, 713 (2003)
  9. P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Kolodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnoblyudov, M.S. Kagan. Appl. Phys. Lett., 85, 22 (2004)
  10. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 79, 448 (2004)
  11. S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, V.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
  12. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, M. Greiner-Bar, M.H. Rummel, M.F. Kimmit, R.Kh. Zhukavin, H. Riemann, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B, 233, 191 (2002)
  13. A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.Yu. Egorov, N.N. Zinov'ev. Appl. Phys. Lett., 96, 211118 (2010)
  14. А.О. Захарьин, А.В. Бобылев, А.В. Андрианов. ФТП, 46, 1158 (2012)
  15. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Р.Х. Жукавин, В.Н. Шастин, Н.В. Абросимов, А.В. Бобылев. Письма ЖЭТФ, 100, 876 (2014)
  16. A.V. Andrianov, J.P. Gupta, J. Kolodzey, V.I. Sankin, A.O. Zakhar'in, Yu.B. Vasilyev. Appl. Phys. Lett., 103, 221101 (2013)
  17. Н.Н. Зиновьев, А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Г. Хилл, Дж.М. Чемберлен. ФТП, 36, 234 (2002)
  18. C. Jagannath, Z.W. Grabowski, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 23, 2082 (1981)
  19. R. Buczko. Nuovo Cimento, 9, 669 (1987)
  20. R. Buczko, F. Bassani. Phys. Rev. B, 45, 5838 (1992)
  21. A. Onton, P. Fisher, A.K. Ramdas. Phys. Rev., 163, 686 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.