"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In0.25Ga0.75As методом МОС-гидридной эпитаксии
Минтаиров С.А.1,2,3, Калюжный Н.А.1, Максимов М.В.1,2, Надточий А.М.1,2,3, Неведомский В.Н.1, Жуков А.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены квантовые точки InAs в метаморфной матрице InGaAs, излучающие в диапазоне длин волн 1380-1400 нм при комнатной температуре. Структуры выращивались на многослойном метаморфном буфере, состоящем из девяти подслоев InxGa1-xAs, каждый из которых имел толщину 200 нм. В первых семи слоях концентрация индия x последовательно увеличивалась на величину ~3.5%, достигая 24.5%. Затем выращивался компенсирующий слой с концентрацией x=28% и финальный бездислокационный слой с x=24.5%. Показано, что релаксация упругих напряжений с загибом дислокаций на интерфейсах происходит в третьем от поверхности слое, а верхний слой свободен от дислокаций на обоих интерфейсах. Квантовые точки формировались в метаморфной матрице посредством осаждения 2-2.5 монослоев InAs при 520oC с последующим заращиванием тонким слоем InGaAs при той же температуре роста. Установлено, что для улучшения структурного и оптического качества образцов необходимо увеличивать скорость роста и уменьшать концентрацию индия в покрывающем квантовые точки слое InGaAs, по отношению к соответствующим параметрам роста последнего подслоя метаморфного буфера. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44415.8459
  • N. Ozaki, K. Takeuchi, S. Ohkouchi, N. Ikeda, Y. Sugimoto, H. Oda, K. Asakawa, R.A. Hogg. Appl. Phys. Lett., 103, 051121 (2013)
  • M. Rossetti, L. Li, A. Markus, A. Fiore, L. Occhi, C. Velez, S. Mikhrin, I. Krestnikov, A.R. Kovsh. IEEE J. Quantum Electron., 43, 676 (2007)
  • А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  • L.F. Lester, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, E.A. Pease, B.A. Fuchs, K.J. Malloy. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 931 (1999)
  • A.E. Zhukov. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology --- New Series (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York), vol. VIII/1B3, chap. 11.1, p. 95--131 (2011)
  • G. Balakrishnan, S. Huang, T.J. Rotter, A. Stintz, L.R. Dawson, K. J. Malloy, H. Xu, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 84, 2058 (2004)
  • N.V. Kryzhanovskaya, A.Y. Gladyschev, S. Blokhin, Y.G. Musikhin, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, N. Zakharov, A. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, P. Werner, F. Guffarth, D. Bimberg. Semiconductors, 38, 833 (2004)
  • L. Seravalli, M. Minelli, P. Frigeri, S. Franchi, G. Guizzetti, M. Patrini, T. Ciabattoni, M. Geddo. J. Appl. Phys., 101, 024313 (2007)
  • S. Semenova, R. Hostein, G. Patriarche, O. Mauguin, L. Largeau, I. Robert-Philip, A. Beveratos, A. Lemaitre. J. Appl. Phys., 103, 103533 (2008)
  • G. Munoz-Matutano, D. Rivas, A.L. Ricchiuti, D. Barrera, C. R. Fernandez-Pousa, J. Martinez-Pastor, L. Seravalli, G. Trevisi, P. Frigeri, S. Sales. Nanotechnology, 25, 035204 (2014).
  • J.F. Wheeldon, C.E. Valdivia, D. Masson, F. Proulx, B. Riel, N. Puetz, E. Desfonds, S. Fafard, B. Rioux, A.J. SpringThorpe, R. Ar\`es, V. Aimez, M. Armstrong, M. Swinton, J. Cook, F. Shepherd, T.J. Hall, K. Hinzer. Proc. SPIE, 7750, 77502Q (2010)
  • N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque. Prog. Photovolt: Res. Appl., 24 (9) 1261 (2016)
  • R.A. Salii, S.A. Mintairov, P.N. Brunkov, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 49 (8), 1111 (2015)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  • N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. International Journal of Photoenergy, 2014, Article ID 836284 (2014)
  • I. Vurgaftmana, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  • Z.M. Wang (New York, Springer, ISBN 978-0-387-74190-1, 2008)
  • Gerald B. Stringfellow (Academic Press, ISBN: 978-0-12-673840-7, 1999).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.