Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 3 » Статья стр. 342
<<<>>>
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44205.8343
РФФИ, Офи_м, 14-29-07153
РФФИ, мол_а_дк, 16-32-60005
РФФИ, мол_а, 16-32-00039
Блошкин А.А. 1,2, Якимов А.И.1,3, Тимофеев В.А.1, Туктамышев А.Р.1, Никифоров А.И.1,3, Мурашов В.В.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: bloshkin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
PDF версия
Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si0.7-yGe0.3Sny/Si в диапазоне содержания олова y=0.04-0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si0.7-yGe0.3Sny в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si0.7-yGe0.3Sny. Установлено, что зависимость экспериментальных значений разрыва валентных зон между псевдоморфными слоями Si0.7-yGe0.3Sny и Si от содержания олова описывается выражением Delta EVexp=(0.21±0.01)+(3.35±7.8·10-4)y эВ. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44205.8343
  1. A. Elfving, A. Karim, G.V. Hansson, W.-X. Ni. Appl. Phys. Lett., 89, 083510 (2006)
  2. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Y.Y. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75, 1413 (1999)
  3. A. Yakimov, V. Timofeev, A. Bloshkin, A. Nikiforov, A. Dvurechenskii. Nanoscale Res. Lett., 7, 494 (2012)
  4. N. Rappaport, E. Finkman, T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, N. Yam, V. Le Thanh, D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 77, 3224 (2000)
  5. P. Moontragoon, R.A. Soref, Z. Ikonic. J. Appl. Phys., 112, 073106 (2012)
  6. A. Attiaoui, O. Moutanabbir. J. Appl. Phys., 116, 063712 (2014)
  7. R. Roucka, J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 98, 061109 (2011)
  8. J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221912 (2010)
  9. M.-Y. Ryu, T.R. Harris, Y.K. Yeo, R.T. Beeler, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 102, 171908 (2013)
  10. M. Oehme, D. Buca, K. Kostecki, S. Wirths, B. Hollander, E. Kasper, J. Schulze. J. Cryst. Growth, 384, 71 (2013)
  11. R.R. Lieten, J.W. Seo, S. Decoster, A. Vantomme, S. Peters, K.C. Bustillo, E.E. Haller, M. Menghini, J.P. Locquet. Appl. Phys. Lett., 102, 052106 (2013)
  12. H. Li, Y.X. Cui, K.Y. Wu, W.K. Tseng, H.H. Cheng, H. Chen. Appl. Phys. Lett., 102, 251907 (2013)
  13. A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.R. Tuktamyshev, A.I. Yakimov, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovskii. J. Cryst. Growth (2016). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.02.024
  14. J.D. Gallagher, C.L. Senaratne, P. Sims, T. Aoki, J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 106, 091103 (2015)
  15. W. Du, Y. Zhou, S.A. Ghetmiri, A. Mosleh, B.R. Conley, A. Nazzal, R.A. Soref, G. Sun, J. Tolle, J. Margetis, H.A. Naseem, S.-Q. Yu. Appl. Phys. Lett., 104, 241110 (2014)
  16. W. Du, S.A. Ghetmiri, B.R. Conley, A. Mosleh, A. Nazzal, R.A. Soref, G. Sun, J. Tolle, J. Margetis, H.A. Naseem, S.Q. Yu. Appl. Phys. Lett., 105, 051104 (2014)
  17. V. D'Costa, C. Cook, A. Birdwell, C. Littler, M. Canonico, S. Zollner, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. B, 73, 125207 (2006)
  18. B.R. Conley, J. Margetis, W. Du, H. Tran, A. Mosleh, S.A. Ghetmiri, J. Tolle, G. Sun, R. Soref, B. Li, H.A. Naseem, S.-Q. Yu. Appl. Phys. Lett., 105, 221117 (2014)
  19. M.R. Bauer, C.S. Cook, P. Aella, J. Tolle, J. Kouvetakis, P.A. Crozier, A.V.G. Chizmeshya, D.J. Smith, S. Zollner. Appl. Phys. Lett., 83, 3489 (2003)
  20. M. Oehme, K. Kostecki, M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, K. Ye, D. Widmann, R. Koerner, S. Bechler, E. Kasper, J. Schulze. Appl. Phys. Lett., 104, 161115 (2014)
  21. M. Jaros. Phys. Rev. B, 37, 7112 (1988)
  22. A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov. Nanoscale Res. Lett., 7, 561 (2012)
  23. А.А. Блошкин, А.И. Якимов, В.А. Тимофеев, А.В. Двуреченский. ФТП, 48, 1065 (2014)
  24. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Письма ЖЭТФ, 80, 367 (2004)
  25. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.V. Dvurechenskii. Semicond. Sci. Technol., 26, 125002 (2011)
  26. K. Nauka, T.I. Kamins, J.E. Turner, C.A. King, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 60, 195 (1992)
  27. T. Ando. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
  28. J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 85, 1175 (2004)
  29. M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B, 48, 14276 (1993)
  30. T. Brudevoll, D.S. Citrin, M. Cardona, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 48, 8629 (1993)
  31. M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman, P. Boucaud. Phys. Rev. B, 73, 195327 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme