Вышедшие номера
Излучательные d-d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках АIIВVI
Ушаков В.В.1, Кривобок В.С.1, Пручкина А.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ushakov@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 6 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Исследованы спектры люминесценции примесных центров W в полупроводниках АIIВVI ZnSe, CdS и CdSe. Обнаружено, что при переходе от электронной системы 3d-центров (Cr) к системе 5d-центров (W) происходит существенное изменение спектральных характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе-Сугано теории кристаллического поля. С учетом особенностей спектров установлено, что излучательные переходы на 5d-центрах W в исследованных кристаллах происходят в области слабого кристаллического поля между уровнями с различными значениями спина. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44203.8398