"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
Полубавкина Ю.С.1, Зубов Ф.И.1,2, Моисеев Э.И.1, Крыжановская Н.В.1,2, Максимов М.В.1,2, Семенова Е.С.3, Yvind K.3, Асрян Л.В.4, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
4Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Email: polubavkina@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см2) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно - максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44116.8361
  1. P. Blood, E.D. Fletcher, K. Woodbridge, K.C. Heasman, A.R. Adams. IEEE J. Quant. Electron., 25 (6), 1459 (1989)
  2. H. Kurakake, T. Uchida, T. Yamamoto, T. Higashi, S. Ogita, M. Kobayashi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 632 (1997)
  3. L.V. Asryan, S. Luryi. Solid-State Electron., 47, 205 (2003)
  4. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012)
  5. F.I. Zubov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (14), 1106 (2015)
  6. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 114, 143 103 (2013)
  7. Л.В. Асрян, Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 50, 1380 (2016)
  8. С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (5), 688 (2010)
  9. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
  10. Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (10), 1377 (2014)
  11. A.V. Ankudinov, M.L. Yanul, S.O. Slipchenko, A.V. Shelaev, P.S. Dorozhkin, A.A. Podoskin, I.S. Tarasov. Opt. Express, 22 (21), 26 438 (2014)
  12. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  13. А.Е. Жуков, Л.В. Асрян, Е.С. Семенова, Ф.Е. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов. ФТП, 49 (7), 956 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.