Вышедшие номера
Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
Полубавкина Ю.С.1, Зубов Ф.И.1,2, Моисеев Э.И.1, Крыжановская Н.В.1,2, Максимов М.В.1,2, Семенова Е.С.3, Yvind K.3, Асрян Л.В.4, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
4Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Email: polubavkina@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см2) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно - максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44116.8361