Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
4Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
4Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Email: polubavkina@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см2) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно - максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44116.8361
- P. Blood, E.D. Fletcher, K. Woodbridge, K.C. Heasman, A.R. Adams. IEEE J. Quant. Electron., 25 (6), 1459 (1989)
- H. Kurakake, T. Uchida, T. Yamamoto, T. Higashi, S. Ogita, M. Kobayashi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 632 (1997)
- L.V. Asryan, S. Luryi. Solid-State Electron., 47, 205 (2003)
- A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012)
- F.I. Zubov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (14), 1106 (2015)
- L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 114, 143 103 (2013)
- Л.В. Асрян, Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 50, 1380 (2016)
- С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (5), 688 (2010)
- И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
- Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (10), 1377 (2014)
- A.V. Ankudinov, M.L. Yanul, S.O. Slipchenko, A.V. Shelaev, P.S. Dorozhkin, A.A. Podoskin, I.S. Tarasov. Opt. Express, 22 (21), 26 438 (2014)
- А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
- А.Е. Жуков, Л.В. Асрян, Е.С. Семенова, Ф.Е. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов. ФТП, 49 (7), 956 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
