Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 2 » Статья стр. 247
<<<>>>
Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300 K
DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44113.8305
Мынбаев К.Д.1,2, Баженов Н.Л.1, Семакова А.А.1,2, Михайлова М.П.1, Стоянов Н.Д.3, Кижаев С.С.3, Молчанов С.С.3, Астахова А.П.3, Черняев А.В.1,3, Lipsanen H.2,4, Бугров В.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
4Aalto University, Aalto, Finland
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
PDF версия
Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур T=4.2-300 K. При низких температурах (T=4.2-100 K) обнаружен эффект возникновения стимулированного излучения на длинах волн 3.03 и 3.55 мкм для структур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP cooтветственно, с резонатором, сформированным перпендикулярно плоскости роста. Излучение становилось спонтанным при T>70 K из-за резонансного "включения" оже-процесса CHHS, при котором энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары передается дырке с переходом последней в спин-орбитально отщепленную зону, и оставалось таковым c увеличением температуры из-за усиления влияния других оже-процессов. Полученные результаты показывают перспективность использования структур на основе InAs/InAs(Sb)/InAsSbP для создания вертикально-излучающих лазеров среднего инфракрасного диапазона. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44113.8305
  1. Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier. [Springer Ser. in Optical Sciences (Berlin, Springer) v. 118]
  2. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2, 927 (2005)
  3. Н.К. Жумашев, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, Т.И. Гурина, А.П. Астахова, А.В. Черняев, С.С. Молчанов, Х. Липсанен, Х.М. Салихов, В.Е. Бугров. Вестн. ИТМО, 16 (1), 57 (2016)
  4. M. Sopanen, T. Koljonen, H. Lipsanen, T. Tuomi. J. Cryst. Growth, 145, 492 (1994)
  5. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник, пер. с англ. под ред. В.С. Вавилова (М., Мир, 1975)
  6. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  7. B. Lane, M. Razeghi. J. Cryst. Growth, 221, 679 (2000)
  8. А.П. Астахова, Т.В. Безъязычная, Л.И. Буров, А.С. Горбацевич, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.И. Щемелев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 42, 228 (2008)
  9. Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 71 (9), 58 (2001)
  10. J.R. Lindle, J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, G.W. Turner, H.K. Choi. Appl. Phys. Lett., 67, 3153 (1995)
  11. P. Adamiec, R. Bohdan, A. Bercha, F. Dybala, W. Trzeciakowski, Y. Rouillard, A. Joullie. Phys. Status Solidi B, 244, 187 (2007)
  12. K.J. Cheetham, A. Krier, I.P. Marko, A. Aldukhayel, S.J. Sweeney. Appl. Phys. Lett., 99, 141110 (2011)
  13. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, А.С. Школьник, Г.Г. Зегря. ФТП, 39, 1252 (2005)
  14. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  15. A.B. Ikyo, I.P. Marko, K. Hild, A.R. Adams, S. Arafin, M.C. Amann, S.J. Sweeney. Sci. Reports, 6, 19 595 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme