"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком
Яфясов A.M. 1, Божевольнов B.Б. 1, Рюмцев Е.И.1, Ковшик А.П.1, Михайловский В.Ю.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Междисциплинарный ресурсный центр "Нанотехнологии" СПбГУ, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: yafyasov@gmail.com, vladislav.bogevolnov@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Создана система полупроводник-органический диэлектрик с пространственно распределенным зарядом, обладающая уникально низкой плотностью быстрых поверхностных состояний (Nss) на интерфейсе. На примере n-Ge реализована система с Nss~5·1010 см-2 и проведено исследование физических характеристик такой системы с жидкостным и металлическим полевыми электродами. В системе с органическим диэлектриком впервые реализован диапазон изменения поверхностного потенциала от обогащения области пространственного заряда полупроводника основными носителями заряда до состояния инверсии без изменения механизма взаимодействия адсорбированного слоя с поверхностью полупроводника. Обнаружен эффект усиления поляризации области пространственного заряда полупроводника вследствие изменения пространственной структуры подвижного заряда в органическом диэлектрическом слое. На основе разработанной системы открываются технологические возможности для формирования новой генерации электронных приборов на органических плeночных структурах и экспериментального моделирования электронных свойств биологических мембран. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44105.8331
  1. И.Р. Пригожин, Г. Николис. Самоорганизация в неравновесных системах. От диссипативных структур к упорядоченности через флуктуации (М., Мир, 1979) c. 512
  2. Ф.Ф. Волькенштейн. УФН, 9, 275 (1966)
  3. Handbook of Organic Electronics and Photonics (3-Volume Set), ed. by Nalwa H.S. (American Scientific Publishers, 2008)
  4. Я. Бартонь, A.A. Кальнин. ЖТФ, 68, 125 (1998)
  5. P.P. Konorov, A.M. Yafyasov, V.B. Bogevolnov. Field Effect in Semiconductor-Electrolyte Interfaces (Princeton University Press, 2006)
  6. П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПбГУ, Изд-во СПбГУ, 2003) с. 530
  7. W.H. Brattain, P.J. Boddy. J. Electrochem. Soc., 109, 572 (1962)
  8. А.М. Яфясов, В.М. Бакулев, П.П. Коноров, В.Б. Божевольнов. ФТП, 45, 1617 (2010)
  9. В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, вып. 2, 116 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.