"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах "пористый кремний-на-изоляторе"
Болотов В.В.1, Князев Е.В.1, Пономарева И.П.1, Кан В.Е.1, Давлеткильдеев Н.А.1, Ивлев К.Е.1, Росликов В.Е.1
1Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Email: kan@obisp.oscsbras.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре "макропористый кремний-мезопористый кремний". Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов "шипов", возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя Ebr~ 104-105 В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур "пористый кремний-на-изоляторе" в интегрированных химических микро- и наносенсорах. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8246
  1. W.I. Laminack, J.L. Gole. Nanomaterials, 3, 469 (2013)
  2. V.A. Moshnikov, I. Gracheva, A.S. Lenshin, Y.M. Spivak, M.G. Anchkov, V.V. Kuznetsov, J.M. Olchowik. J. Non-Cryst. Sol., 358, 590 (2012)
  3. L. Zhao, M. Yosef, M. Steinhart, P. Goring, H. Hofmeister, U. Gosele, S. Schlecht. Angew. Chem. Int. Ed., 45, 311 (2006)
  4. R. Triantafyllopoulou, X. Illa, O. Casals, S. Chatzandroulis, C. Tsamis, A. Romano-Rodriguez, J.R. Morante.Microelectron. Eng., 85, 1116 (2008)
  5. V.M. Arakelyan, Kh.S. Martirosyan, V.E. Galstyan, G.E. Shahnazaryan, V.M. Aroutiounian. Phys. Status. Solidi C, 4 (6), 2059 (2007)
  6. F.A. Garces, L.N. Acquaroli, R. Urteaga, A. Dussan, R.R. Koropecki, R.D. Arce. Thin Sol. Films, 520 (13), 4254 (2012)
  7. N. Sankara Subramanian, R. Vivek Sabaapathy, P. Vickraman, G. Vimal Kumar, R. Sriram, B. Santhi. Ionics, 13, 323 (2007)
  8. В.В. Болотов, В.Е. Росликов, Е.А. Росликова, К.Е. Ивлев, Е.В. Князев, Н.А. Давлеткильдеев. ФТП, 48, 412 (2014)
  9. В.В. Болотов, В.Е. Росликов, К.Е. Ивлев, Е.В. Князев. Патент РФ N 2554298 C1 (2015)
  10. V.V. Bolotov, K.E. Ivlev, E.V. Knyazev, V.E. Roslikov, I.V. Ponomareva. Procedia Engin., 113, 506 (2015)
  11. M.D. Frey. Scanning Microscopy for Nanotechnology Techniques and Applications, ed. by W. Zhou, Z.L. Wang (Springer Science+Business Media, LLC, 2006) p. 101
  12. H. Fujiwara. Spectroscopic ellipsometry: principles and applications (Chichester, John Wiley \& Sons Ltd, 2007) p. 177
  13. В.В. Болотов, Н.А. Давлеткильдеев, А.А. Коротенко, В.Е. Росликов, Ю.А. Стенькин. ЖТФ, 81 (11), 52 (2011)
  14. V.V. Bolotov, M.D. Efremov, I. Babanskaya, K. Schmalz. Mater. Sci. Eng., B, 21, 49 (1993)
  15. V.V. Bolotov, M.D. Efremov, V.M. Emeksuzyan, K. Schmalz. Sol. St. Phenomena, 19- 20, 13 (1991)
  16. J.J. Yon, K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. J. Appl. Phys., 62, 1042 (1987)
  17. W. Theib. Surf. Sci. Reports, 29, 91 (1997)
  18. А.В. Васин, П.Н. Охолин, И.Н. Веровский, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко, К.И. Холостов, В.П. Бондаренко, Y. Ishikawa. ФТП, 45, 360 (2011)
  19. А.А. Копылов, А.Н. Холодилов. ФТП, 31, 556 (1997)
  20. Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков. ФТП, 49, 887 (2015)
  21. Ch. Hollenstein, A. A. Howling, C. Courteille, D. Magni, S.M. Scholz, G.M.W. Kroesen, N. Simons, W. de Zeeuw, W. Schwarzenbach. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 74 (1998)
  22. А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. ФТП, 33, 198 (1999)
  23. А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников. ФТП, 45, 1229 (2011)
  24. П.Дж. Херроп, Д.С. Кемпелл. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга (М., Сов. радио, 1977) т. 2, с. 469

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.