Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 12 » Статья стр. 1685
<<<>>>
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43900.46
РФФИ, мол_а, 16-32-00459
РФФИ, а, 14-02-01157
Байдакова Н.А.1, Новиков А.В.1,2, Шалеев М.В.1, Юрасов Д.В.1, Морозова Е.Е.1, Шенгуров Д.В.1, Красильник З.Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: banatale@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
PDF версия
Впервые исследована электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферах SiGe/Si(001) и заключенными между слоями напряженного кремния. Сигнал электролюминесценции от исследованных структур наблюдается в области длин волн 1.6-2.0 мкм, более длинноволновой области спектра по сравнению со структурами с островками Ge(Si), сформированными на подложках Si(001). Это позволяет рассматривать структуры с островками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями Si, в качестве кандидатов для создания на кремнии источников излучения на диапазон длин волн >1.55 мкм.
  1. R. Soref. Nature Photonics, 4, 495 (2010)
  2. M. Nedeljkovic, A.Z. Khokhar, Y. Hu, X. Chen, J. Soler Penades, S. Stankovic, H.M.H. Chong, D.J. Thomson, F.Y. Gardes, G.T. Reed, G.Z. Mashanovich. Opt. Mater. Express, 3 (9), 1205 (2013)
  3. D.J. Thomson, L. Shen, J.J. Ackert, E. Huante-Ceron, A.P. Knights, M. Nedeljkovic, A.C. Peacock, G.Z. Mashanovich. Opt. Express, 22 (9), 10 825 (2014)
  4. J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
  5. R. Roucka, J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 98, 061 109 (2011)
  6. M. Oehme, J. Werner, M. Gollhofer, M. Schmid, M. Kaschel, E. Kasper, J. Schulze. IEEE. Phot. Technol. Lett., 23(23), 1751 (2011)
  7. R.R. Lieten, J.W. Seo, S. Decoster, A. Vantomme, S. Peters, K.C. Bustillo, E.E. Haller, M. Menghini, J.-P. Locquet. Appl. Phys. Lett., 102 052 106 (2013)
  8. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 88, 011 914 (2006)
  9. A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, O.A. Kuznetsov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 22, S29 (2007)
  10. М.В. Шалев, А.В. Новиков, Н.А. Байдакова, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 45 (2), 202 (2011)
  11. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 91, 021 916 (2007)
  12. Н.А. Байдакова, А.И. Бобров, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. ФТП, 49 (8), 1129 (2015)
  13. T.A. Langdo, M.T. Currie, A. Lochtefeld, R. Hammond, J.A. Carlin, M. Erdtmann, G. Braithwaite, V.K. Yang, C.J. Vineis, H. Badawi, M.T. Bulsara. Appl. Phys. Lett., 82, 4256 (2003)
  14. T.A. Langdo, M.T. Currie, Z.-Y. Cheng, J.G. Fiorenza, M. Erdtmann, G. Braithwaite, C.W. Leitz, C.J. Vineis, J.A. Carlin, A. Lochtefeld, M.T. Bulsara, I. Lauer, D.A. Antoniadis, M. Somerville. Sol. St. Electron., 48, 1357 (2004)
  15. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. Микроэлектроника, 34 (4), 243 (2005)
  16. O.G. Schmidt, K. Eberl. Phys.Rev. B, 61 (20), 13721 (2000)
  17. М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТП, 41 (2), 172 (2007)
  18. М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 41 (11), 1375 (2007)
  19. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Appl. Phys. Lett., 101, 151 601 (2003)
  20. Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, К.Е. Кудрявцев, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, З.Ф. Красильник, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 46 (11), 1448 (2012)
  21. М.В. Шалеев, А.В. Новиков, Н.А. Байдакова, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 45 (2), 202 (2011)
  22. P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhes, V. Le Thanh, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 64, 155 310 (2001)
  23. M. Brehm, M. Grydlik, F. Hackl, E. Lausecker, T. Fromherz, G. Bauer. Nanoscale Res. Lett., 5, 1868 (2010)
  24. H. Lee, S.-H. Choi. J. Appl. Phys., 85 1771 (1999)
  25. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47 (1), 44 (2005)
  26. А.Н. Яблонский, Н.А. Байдакова, А.В. Новиков, Д.Н. Лобанов, М.В. Шалеев. ФТП, 49 (11) 1458 (2015)
  27. Ya. Shiraki, A. Sakai. Surf. Sci. Reports, 59, 153 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme