"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
Мартовицкий В.П.1, Садофьев Ю.Г.1,2, Клековкин А.В.1, Сарайкин В.В.3, Васильевский И.С.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
3Национальный исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Зеленоград, Москва, Россия
Email: aklekovkinbox@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

На виртуальной подложке (001) Si/Ge была выращена структура, состоящая из пяти упругонапряженных метастабильных слоев GeSn толщиной 200 нм каждый, разделенных прослойками из германия толщиной 20 нм. Мольная доля олова в слоях GeSn имела следующие значения: 0.005, 0.034, 0.047, 0.072 и 0.10. После роста структура подвергалась термическому отжигу в течение 2 мин при температуре 400oC. Показано, что в процессе отжига наряду с пластической релаксацией происходит фазовый распад сплава GeSn, который начинается еще до завершения процесса пластической релаксации. Структурная деградация слоев GeSn возрастала с ростом концентрации олова, которая накапливалась на поверхности структуры в виде аморфного слоя.
  1. R. Ragan, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 77, 3418 (2000)
  2. G. Grzybowski, R.T. Beeler, L. Jiang, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 101, 072 105 (2012)
  3. S. Wirthst, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J. M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
  4. S. Ogus, W. Paul, T.F. Deutsch, B.-Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
  5. R.A. Sofer, L. Friedman. Superlatt. Microstr., 14, 189 (1993)
  6. O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
  7. G. He, H.A. Atwater. Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997)
  8. J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
  9. Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский. Изв. РАН. Сер. физ., 78, 47 (2014)
  10. Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский, А.В. Клековкин, Д.В. Аверьянов, И.С. Васильевский. ФТП, 49, 128 (2015)
  11. N. Herres, F. Fuchs, J. Schmitzetal. Phys. Rev. B, 53, 15 688 (1996)
  12. S.N.G. Chu, A.T. Macrander, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 57, 249 (1985)
  13. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.