"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
Можаров А.М.1, Кудряшов Д.А.1, Большаков А.Д.1, Цырлин Г.Э.1,2, Гудовских А.С.1,3, Мухин И.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: mozharov@spbau.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

С помощью методов численного моделирования рассмотрены режимы работы и определены конструкции солнечных элементов комбинированной размерности на основе планарной гетероструктуры GaPNAs/Si и массива GaN нитевидных нанокристаллов. Показано, что массив GaN нитевидных нанокристаллов обладает антиотражающими свойствами на уровне не хуже 2.5% при освещении солнечным спектром AM1.5D. Наибольшее влияние на эффективность работы солнечных элементов оказывают времена жизни неосновных носителей заряда и толщина фотоактивных слоев. Продемонстрировано, что эффективность двухпереходных солнечных элементов, состоящих из перехода на основе твердого полупроводникового раствора GaPNAs и массива GaN нитевидных нанокристаллов на Si подложке, достигает 32% при AM1.5D.
  1. Y. Fujimoto, H. Yonezu, K. Momose, A. Utsimi, Y. Furukawa, J. Cryst. Growth, 227 (228), 491 (2001)
  2. K. Momose, H. Yonezu, Y. Fujimoto, K. Ojima, Y. Furukawa, A. Utsumi, K. Aiki. Jpn J. Appl. Phys., 41 (12R), 7301 (2002)
  3. S. Adachi. Properties of semiconductor alloys: group-IV, III-V and II-VI semiconductors (John Wiley \& Sons, 2009) v. 28, p. 400
  4. H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 77 (14), 2180 (2000)
  5. Z. Liu, H. Kawanami, I. Sakata. Appl. Phys. Lett., 96 (3), 032 106 (2010)
  6. J.F. Geisz, D.J. Friedman, S.R. Kurtz. Proc 29th IEEE PVSC (New Orleans, LA, 2002) p. 864
  7. Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (3), 396 (2014)
  8. J.F. Geisz, D.J. Friedman. Semicond. Sci. Techn., 17 (8), 769 (2002)
  9. A. Mozharov, A. Bolshakov, G. Cirlin, I. Mukhin. PSS RRL, 9 (9), 507 (2015)
  10. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
  11. M. Bjork, B. Ohlsson, T. Sass, A. Persson, C. Thelander, M. Magnusson, K. Deppert, L. Wallenberg, L. Samuelson. Nano Lett., 2, 87 (2002)
  12. G. Leibiger, V. Gottschalch, M. Schubert, G. Benndorf, R. Schwabe. Phys. Rev. B, 65, 245 207 (2002)
  13. K. Umeno, S.M. Kim, Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 301, 539 (2007)
  14. H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 77, 2180 (2000)
  15. M. Gungerich, P.J. Klar, W. Heimbrodt, G. Weiser, A. Lindsay, C. Harris, E.P. O'Reilly. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems (Germany, Springer, 2008) v. 15, p. 592
  16. G. Biwa, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth, 195, 574 (1998)
  17. M.E. Law, E. Solley, M. Liang, D.E. Burk et al. IEEE Electron Dev. Lett., 12 (8), 401 (1991)
  18. G.A.M. Hurkx, D.B.M. Klaassen, M.P.G. Knuvers. IEEE Trans. Electron Dev., 39, 331 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.