"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов Д.Н. 1,2, Новиков А.В.1,2, Юнин П.А.1, Скороходов Е.В.1, Шалеев М.В.1, Дроздов М.Н.1, Хрыкин О.И.1, Бузанов О.А.3, Аленков В.В.3, Фоломин П.И.4, Гриценко А.Б.4
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3ОАО "Фомос-Материалс", Москва, Россия
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: dima@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La3Ga5SiO14 (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет ~520oC. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении (~700oC). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций ~1011 см-2 и низкой (<2 нм) шероховатостью поверхности.
  1. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys., 87 (3), 965 (2000)
  2. Alan Mills. III-Vs Review, 19, 25 (2006)
  3. T. Fukuda, K. Shimamura, V.V. Kochurikhin, V.I. Chani, B.M. Epelbaum, S.L. Buldochi, H. Takeda, A. Yoshikava. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 10, 571 (1999)
  4. O.A. Gurbanova, E.L. Belokoneva. Crystallography Reporte, 51, 577 (2006)
  5. J. Kraublich, S. Hofer, U. Zastrau, N. Jeutter, C. Baehtz. Cryst. Res. Technol., 45, 490 (2010)
  6. С.А. Ахманов, В.Э. Гусев. УФН, 162 (3), 3 (1992); S.K. O'Leary et. al. Sol. St. Commun., 105 (10), 621 (1998)
  7. М. Гольцова. Элементная база электроники, N 4, 86 (2012)
  8. C.Г. Алексеев, Ю.В. Гуляев, И.М. Котелянский, Г.Д. Мансфельд. УФН, 175, (8), 887 (2005)
  9. С.Г. Казанцев, Л.А. Макриденко, Т.Н. Овчаренко. Вопросы электромеханики, 117, 17 (2010)
  10. B.-G. Park, R.S. Kumar, M.-D. Kim, H.-D. Cho, T.-W. Kang, G.N. Panin, D.V. Roschupkin, D.V. Iczhak, V.N. Pavlov. Cryst. Eng. Commun., 17, 4455 (2015)
  11. B.-G. Park, R.S. Kumar, M.-L. Moon, M.D. Kim, T.-W. Kang, W.-C. Yang, S.-G. Kim. J. Cryst. Growth, 425, 149 (2015)
  12. M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Prog. Phys., 72, 036 502 (2009)
  13. А.П. Гажулина. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского, 1 (2), 51 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.