"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Цырлин Г.Э.1,2, Штром И.В.1,2,3, Резник Р.Р.1,4, Самсоненко Ю.Б.1,2, Хребтов А.И.1, Буравлев А.Д.1,2,3, Сошников И.П.
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: cirlin@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа "вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл", выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений АIIIВV и кремния.
  1. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
  2. M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, J.-C. Harmand. Nano Lett., 7, 1500 (2007)
  3. Г.Э. Цырлин, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand. ФТП, 46 (2), 184 (2012)
  4. V.N. Kats, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, T.V. Chizhova, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, E.V. Ubyivovk, J. Bleuse, H. Mariette. Semicond. Sci. Technol., 27, 015009 (2012)
  5. D. Barettin, A.V. Platonov, A. Pecchia, V.N. Kats, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.D. Bouravleuv, L. Besombes, H. Mariette, M.A. der Maur, A.D. Carlo. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 19 (5), 1901209 (2013)
  6. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Rhys. Rev. E, 77, 031606 (2008)
  7. T.F. Kuech, D.J. Wolford, R. Potemski, J.A. Bradley, K.H. Kelleher, D. Yan, J.P. Farrell, P.M.S. Lesser, F.H. Pollak. Appl. Phys. Lett., 51, 505 (1987)
  8. C. Chen, S. Shehata, C. Fradin, R. LaPierre, C. Couteau, G. Weihs. Nano Lett., 7, 2584 (2007)
  9. S.K. Lim, M.J. Tambe, M.M. Brewster, S. Gradecak. Nano Lett. 8, 1386 (2008)
  10. V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, G.E. Cirlin. Направлено в Nanotechnology

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.