Вышедшие номера
Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода
Бочкарева Н.И.1, Шеремет И.А.2, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
Email: N.Bochkareva@mail.ioffe.ru, y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Анализируются точечные дефекты в GaN, в частности, их проявление в фотолюминесценции, оптическом поглощении и рекомбинационном токе светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN. Как показывают результаты, широкий хвост дефектных состояний в запрещенной зоне GaN облегчает туннелирование термически активированных носителей в квантовую яму, но одновременно приводит к уменьшению безызлучательного времени жизни и падению эффективности по мере того, как квазиуровни Ферми пересекают состояния дефектов при увеличении прямого смещения. Результаты позволяют выявить доминирующую роль водорода в рекомбинационной активности дефектов с оборванными связями и в эффективности приборов на основе GaN.
  1. M.A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
  2. C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 66, 2712 (1995)
  3. L. Balagurov, P.J. Chong. Appl. Phys. Lett., 68, 43 (1996)
  4. O. Ambacher, W. Reiger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann. Sol. St. Commun., 97, 365 (1996)
  5. P.B. Klein, S.C. Binari. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1641 (2003)
  6. P. Perlin, M. Osinski, P.G. Eliseev, V.A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori. Appl. Phys. Lett., 69, 1680 (1996)
  7. N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, A.S. Zubrilov, Y.S. Lelikov, P.E. Latyshev, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 96, 133502 (2010)
  8. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47, 115 (2013)
  9. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49, 1714 (2015)
  10. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1332 (1995)
  11. T. Mukai, K. Takekava, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L839 (1996)
  12. Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  13. А.А. Ефремов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 621 (2006)
  14. V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JE14 (2013)
  15. Ю.С. Леликов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, И.А. Мартынов, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 42, 1371 (2008)
  16. А.А. Ефремов, Д.В. Тархин, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 380 (2006)
  17. M.A. Mastroa, O.M. Kryliouka, T.J. Andersona, A. Davydovb, A. Shapiro. J. Cryst. Growth, 274, 38 (2005)
  18. В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33, 445 (1999)
  19. L. Hirsch, A.S. Barriere. J. Appl. Phys., 94, 5014 (2003)
  20. M. Mandurrino, G. Verzellesi, M. Goano, M. Vallone, F. Bertazzi, G. Ghione, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni. Phys. Status Solidi A, 212, 947 (2015)
  21. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 48, 1107 (2014)
  22. A. Rose. Concept in Photoconductivity and Allied Problems (Krieger, N. Y., 1978)
  23. O. Gelhausen, M. R. Phillips, E. M. Goldys, T. Paskova, B. Monemar, M. Strassburg, A. Hoffmann. Phys. Rev. B, 69, 125210 (2004)
  24. D. Han, K. Wang, L. Yang. J. Appl. Phys., 80, 2475 (1996)
  25. D.L. Gricom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
  26. N.H. Nickel, N.M. Johnson, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett. 72, 3393 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.