Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 10 » Статья стр. 1348
<<<>>>
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4o и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4o
Бенеманская Г.В.1,2, Дементьев П.А.1,2, Кукушкин С.А.2,3,4, Лапушкин М.Н.1,2, Осипов А.В.2,4, Сеньковский Б.В.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Helmholtz_Zentrum Berlin fur Materialen und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II D, Berlin, Germany
Email: Galina.Benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.
PDF версия
Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры наноинтерфейса Cs/нано-SiC/Si(111) 4o с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий фотонов 120-450 эВ. Эксперименты проведены in situ при субмонослойных Cs покрытиях на поверхности эпитаксиального слоя SiC, выращенного новым методом замещения атомов подложки на вицинальной поверхности Si(111) 4o. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1s, Si 2p. Обнаружено появление индуцированных Cs поверхностных состояний с энергиями связи 1.2, 7.4 эВ и резкое изменение спектра остовного уровня C 1s с появлением двух дополнительных мод. Эволюция спектров показывает, что формирование интерфейса Cs/нано-SiC(111) 4o происходит за счет переноса заряда от адатомов Cs к поверхностным атомам на террасах и ступенях вицинальной поверхности. Обнаружено, что структура С-слоя является неординарной и характеризуется энергетически различными состояниями углерода.
  1. S.E. Saddow, A. Agrawal. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications (2004). ISBN 1-58053-740-5
  2. P. Soukiassian, H.B. Enriquez. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1611 (2004)
  3. T. Seyller. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1755 (2004)
  4. V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys., 79, 316 (1996)
  5. C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 600, 436 (2006)
  6. L.I. Johansson, C. Virojanadara. Phys. Status Solidi B, 248, 667 (2011)
  7. B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10897 (1995)
  8. V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
  9. H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10540 (1998)
  10. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024909 (2013)
  11. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  13. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма ЖТФ, 42, 16 (2016)
  14. B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10897 (1995)
  15. V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
  16. H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R. I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10540 (1998)
  17. F. Semond, P. Soukiassian, P.S. Mangat, Z. Hurych, L. di Cioccio, C. Jaussand. Appl. Surf. Sci., 104/105, 79 (1996)
  18. G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.А. Kukushkin, M.N. Lapushkin, A.V. Osipov, B. Senkovskiy, S.N. Timoshnev. Mater. Phys. Mech., 22, 183 (2015)
  19. G. Ferro. Critical Rev. in Solid State and Mater. Sci., 40, 56 (2015).
  20. A.G. Fedorus, A.G. Naumovets, Yu. S. Vedula, Phys. Status Solidi A, 13, 445 (1972)
  21. S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interf. Anal., 21, 165 (1994)
  22. P.-A. Glans, T. Balasubramanian, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L.I. Johansson. Surf. Sci., 470, 284 (2001)
  23. R. Verucchi, L. Aversa, M.V. Nardi, S. Taioli, S. Beccara, D. AlfAe, L. Nasi, F. Rossi, G. Salviati, S. Iannotta. J. Am. Chem. Soc., 134, 17400 (2012)
  24. L.I. Johansson, F. Owman, P. Martensson. Phys. Rev. B, 53, 19793 (1996)
  25. Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, М.Н. Лапушкин, Б.В. Сеньковский, С.Н. Тимошнев. ФТП, 50, 465 (2016)
  26. C.H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 49, 4485 (1994)
  27. L. Wenchang, Y. Weidong, Z. Kaiming. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 9079 (1991)
  28. J. Wang, L. Zhang, Q. Zeng, G.L. Vignoles, L. Cheng, A. Guette. Phys. Rev. B, 79, 125304 (2009)
  29. R. Takahashi, H. Handa, Shunsuke, K. Imaizumi, H. Fukidome, A. Yoshigoe, Yu. Teraoka, M. Suemitsu. Jpn. J. App. Phys., 50, 070103 (2011)
  30. L.B. Biedermann, M.L. Bolen, M.A. Capano, D.G. Zemlyanov, R. Reifenberger. Phys. Rev. B, 79, 125411 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme