Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические параметры поликристаллов редкоземельных полупроводников с составами Sm1-xEuxS
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
Исследованы электрические параметры поликристаллов с составами Sm1-xEuxS. Измерены удельная электропроводность, концентрация свободных электронов, их подвижность и энергия активации проводимости в зависимости от величины x. Определены структурные параметры исследованных составов. Изготовлена гетероструктура со значениями x от 0 до 0.3, измерена величина электрического напряжения, генерируемая структурой при ее нагреве до T=450 K за счет термовольтаического эффекта. Она составила 55 мВ. Описан способ измерения термовольтаического эффекта, позволяющий отделить его от эффекта Зеебека.
- В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, А.В. Голубков. ЖТФ, 82 (6), 142 (2012)
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов (Л., Наука, 1973)
- Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ю.М. Курапов, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова. ФТТ, 38 (3), 779 (1996)
- Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, М.В. Романова. ФТТ, 38 (7), 2034 (1996)
- В.В. Каминский, Н.Н. Степанов, М.М. Казанин, А.А. Молодых, С.М. Соловьев. ФТТ, 55 (5), 991 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
