"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом
РФФИ, 15-02-08282 А
РФФИ, 14-02-31485
Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-4716.2015.1
ANR, 14-CE26-0020-01 “PLATOFIL”
French national Labex GaNex , ANR-11-LABX-2014
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1 , 1.3.3.3
Бабичев А.В. 1,2,3, Zhang H.4, Guan N.4, Егоров А.Ю.1, Julien F.H.4, Messanvi A.4,5,6, Durand C.5,6, Eymery J.5,6, Tchernycheva M.4
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Institut d'Electronique Fondamentale, UMR CNRS, University Paris Saclay, Orsay Cedex, France
5University Grenoble Alpes, Grenoble, France
6CEA, INAC-SP2M, Nanophysique et Semiconducteurs" Group, Grenoble, France
Email: A.Babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

В работе представлены результаты по формированию и характеризации оптических свойств p-n-фотодетекторов ультрафиолетовой области спектра на основе одиночных нитевидных кристаллов (вискеров) с новым контактом на основе CVD-графена. Активная область нитридных вискеров содержит набор из 30 радиальных квантовых ям состава In0.18Ga0.82N. Структура выращена методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Формирование фотодетекторов осуществлялось с помощью электронной литографии с интерферометрическим столом. Вольт-амперные характеристики представляют собой выпрямляющий тип зависимости. Спектральная чувствительность фотодетектора отчетливо регистрируется начиная с 3 эВ. Максимальный фотоотклик соответствует длине волны 367 нм (чувствительность составляет 1.9 мA/Вт). Отклик фотодетектора наблюдается на временах <0.1 с.
  1. M. Tchernycheva, A. Messanvi, A. de Luna Bugallo, G. Jacopin, P. Lavenus, L. Rigutti, H. Zhang, Y. Halioua, F.H. Julien, J. Eymery, C. Durand. Nano Lett., 14 (6), 3515 (2014)
  2. F. Gonzalez-Posada, R. Songmuang, M. Den Hertog, E. Monroy. Nano Lett., 12 (1), 172 (2011)
  3. A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, G. Jacopin, F.H. Julien, C. Durand, X.J. Chen, D. Salomon, J. Eymery, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 98 (23), 233 107 (2011)
  4. A.V. Babichev, H. Zhang, P. Lavenus, F.H. Julien, A.Y. Egorov, Y.T. Lin, L.W. Tu, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 103 (20), 201 103 (2013)
  5. M. Tchernycheva, A. Messanvi, A. de Luna Bugallo, G. Jacopin, P. Lavenus, L. Rigutti, H. Zhang, Y. Halioua, F.H. Julien, J. Eymery, C. Durand. Nano Lett., 14, 3515 (2014)
  6. H. Zhang, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, P. Lavenus, A. Babichev, F.H. Julien, M. Tchernycheva. Phys. Status Solidi A (2016). DOI: 10.1002/pssa.201532573
  7. A.V. Babichev, H. Zhang, P. Lavenus, F.H. Julien, A.Y. Egorov, Y.T. Lin, L.W. Tu, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 103 (20), 201 103 (2013)
  8. B. Nie, J. G. Hu, L.B. Luo, C. Xie, L.H. Zeng, P. Lv, F.Z. Li, J.S. Jie, M. Feng, C.Y. Wu, Y.Q. Yu, S.H. Yu. Small, 9 (17), 2872 (2013)
  9. H. Zhang, A.V. Babichev, G. Jacopin, P. Lavenus, F.H. Julien, A.Yu. Egorov, J. Zhang, T. Pauporte, M. Tchernycheva. J. Appl. Phys., 114 (23), 234 505 (2013)
  10. T. Kobayashi, M. Bando, N. Kimura, K. Shimizu, K. Kadono, N. Umezu, K. Miyahara, S. Hayazaki, S. Nagai, Y. Mizuguchi, Y. Murakami, D. Hobara. Appl. Phys. Lett., 102 (2), 023 112 (2013)
  11. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H.R. Kim, Y.I. Song, Y.-J. Kim, K.S. Kim, B. Ozyilmaz, J.-H. Ahn, B.H. Hong, S. Iijima. Nature Nanotech., 5 (8), 574 (2010)
  12. M. Tchernycheva, P. Lavenus, H. Zhang, A.V. Babichev, G. Jacopin, M. Shahmohammadi, F.H. Julien, R. Ciechonski, G. Vescovi, O. Kryliouk. Nano Lett., 14 (5), 2456 (2014)
  13. R. Koester, J.S. Hwang, C. Durand, D. Le Si Dang, J. Eymery. Nanotechnology, 21, 015 602 (2010)
  14. A. Messanvi, H. Zhang, V. Neplokh, F.H. Julien, F. Bayle, M. Foldyna, C. Bougerol, E. Gautier, A. Babichev, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva. ACS Appl. Mater. Interfaces, 7 (39), 21898 (2015)
  15. J. Eymery, D. Salomon, X. Chen, C. Durand. Patent number WO2012136665 (2012)
  16. A. Babichev, S. Rykov, M. Tchernycheva, A. Smirnov, V. Davydov, Y. Kumzerov, V. Butko. ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (1), 240 (2016)
  17. A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, G. Jacopin, F.H. Julien, C. Durand, X.J. Chen, D. Salomon, J. Eymery, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 98, 233 107 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.