"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-ТiN/p-Hg3In2Te6
Солован М.Н. 1,2, Мостовой А.И.1, Брус В.В.1,3, Майструк Э.В. 1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2Politecnico di Torino, Torino, Italia
3Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
Email: m.solovan@chnu.edu.ua, a.mostoviy@chnu.edu.ua , v.brus@chnu.edu.ua , e.maistruk@chnu.edu.ua, p.maryanchuk@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 29 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Гетероструктуры n-ТiN/p-Hg3In2Te6 получены путем напыления тонкой пленки нитрида титана (TiN) n-типа проводимости на подготовленные пластины Hg3In2Te6 p-типа проводимости с помощью реактивного магнетронного распыления. Исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства, а также проанализированы доминирующие механизмы токопереноса при прямом смещении в рамках туннельно-рекомбинационной и туннельной моделей. Полученные структуры n-ТiN/p-Hg3In2Te6 имеют следующие фотоэлектрические параметры при интенсивности освещения 80 мВт/см2: напряжение холостого хода VOC=0.52 В, ток короткого замыкания ISC=0.265 мА/см2 и коэффициент заполнения FF=0.39.
  1. А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
  2. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  3. О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46, 327 (2012)
  4. X. Lu, G. Wang, T. Zhai, M. Yu, S. Xie, Y. Ling, C. Liang, Y. Tong, Y. Li. Nano Lett., 12, 5376 (2012)
  5. V.M. Vinokur, T.I. Baturina, M.V. Fistul, A.Yu. Mironov, M.R. Baklanov, C. Strunk. Nature, 452 (3), 613 (2008)
  6. M. Tao, D. Udeshi, S. Agarwal, E. Maldonado, W.P. Kirk. Sol. St. Electron., 48, 335 (2004)
  7. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, Т.Т. Ковалюк, J. Rappich, M. Gluba. ФТT, 5 (11), 2123 (2013)
  8. М.Н. Солован, В.В. Брус, Э.В. Майструк, П.Д. Марьянчук. Неорг. матер., 50 (1), 46 (2014)
  9. Р.А. Андриевский, З.М. Дашевский, Г.В. Калинников.  Письма ЖТФ, 30, 1 (2004)
  10. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, И.М. Фодчук, В.М. Лоренц, А.М. Слетов, М.М. Слетов, М. Gluba. Опт. и спектр., 113 (5), 63 (2014)
  11. М.Н. Солован, Э.В. Майструк, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. Письма ЖТФ, 40 (6), 1 (2014)
  12. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, ФТП, 47, 1185 (2013)
  13. Л.А. Косяченко, Ю.С. Паранчич, В.Н. Макогоненко, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.И. Герман. ЖТФ, 73, 126 (2003)
  14. Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, О.Ф. Склярчук, И.И. Герман, Sun Weiguo. ФТП, 40, 568 (2006)
  15. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 48, 232 (2014)
  16. В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
  17. М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А.Парфенюк. Неорг. матер., 48, 1154 (2012)
  18. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
  19. V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 024 (2012)
  20. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.A. Parfenyuk. Semicond. Sci. Technol., 28, 025 013 (2013)
  21. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с англ.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., 1983)]
  22. V.V. Brus. Solar Energy, 86, 786 (2012)
  23. V.V. Brus. Solar Energy, 86, 1600 (2012)
  24. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 48, 1540 (2014)
  25. А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47, 788 (2013)
  26. А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 48, 1205 (2014)
  27. R. Yatskiv, J. Grym, V.V. Brus, O. Cernohorsky, P.D. Maryanchuk, C. Bazioti, G.P. Dimitrakopulos, Ph. Komninou. Semicond. Sci. Technol., 29, 045 017 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.