Вышедшие номера
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge-Sb-Te
Фефелов С.А.1, Казакова Л.П.1,2, Арсова Д.3, Козюхин C.А.4, Цэндин К.Д.1,5, Приходько О.Ю.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, София, Болгария
4Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
5Hаучно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики, Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
Email: s.fefelov@list.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te в режиме генератора тока. Обнаружена область неустойчивости - колебания проводимости, наблюдаемые при эффекте переключения в условиях задаваемого по величине тока. Детально изучены основные параметры, характеризующие эти колебания, и условия их возникновения. Анализ полученных данных показал, что для объяснения колебаний в области неустойчивости необходимо учитывать увеличение плотности тока и процесс теплообмена между шнуром тока, возникающим в пленке при переключении, и окружающей средой.