Вышедшие номера
Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
Васильев Ю.Б.1, Михайлов Н.Н.2,3, Васильева Г.Ю.1,4, Иванов Ю.Л.1, Захарьин А.О.1, Андрианов А.В.1, Воробьев Л.Е.4, Фирсов Д.А.4, Григорьев М.Н.5, Антонов А.В.6, Иконников А.В.6, Гавриленко В.И.6
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. маршала Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, Россия
6Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: Yu.Vasilyev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Экспериментально обнаружена и исследована терагерцовая электролюминесценция из квантовых ям Cd0.7Hg0.3Te/HgTe с инвертированной зонной структурой при приложении электрического поля вдоль плоскости ям. Максимум спектра излучения в ямах шириной 6.5 и 7 нм находится вблизи энергии 6 мэВ, что соответствует межзонным оптическим переходам. Возникновение излучения объясняется опустошением состояний в валентной зоне и заполнением зоны проводимости за счет зинеровского туннелирования, что подтверждается вольт-амперными характеристиками, следующими степенному закону.