Вышедшие номера
Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников AIIIBV
Жуков Н.Д.1, Глуховской Е.Г.1, Мосияш Д.С.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

В туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы спектры плотности и параметры уровней электронных состояний. Методом соответствия вольт-амперных характеристик и формулы для вероятности эмиссии через уровни найдены значения энергии их активации (psi) и времени жизни (tau) электронов на них. Идентифицированы два типа уровней электронной локализации - в объеме (psi~ 0.75 эВ - n-InSb, ~1.15 эВ - n-InAs, ~1.59 эВ - n-GaAs; tau~10-8-10-7 с) и в приповерхностной зоне микрозерна i-InSb (psi~0.73, 1.33, 1.85, 2.15, 5.1 эВ; tau~ 5·10-8-3·10-7 с). Предложена физическая модель - локализация легких электронов за счет кулоновского взаимодействия и их размерное квантование, определяемые эффективной массой, энергией и концентрацией электронов, кривизной поверхности микрозерна.
  1. Ф. Рахман. Наноструктуры в электронике и фотонике (М., Техносфера, 2010)
  2. Р.Б. Васильев, Д.Н. Дирин Д.Н. Квантовые точки: синтез, свойства, применение (М., ФНМ, 2007). (www.nanometer.ru/.../PROP\_FILE\_files\_5/qd.pdf)
  3. Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, Ю.И. Романов, С.А. Рыков. ФТП, 39 (6), 716 (2005)
  4. R.D. Schaller, P.J. Mietryga, V.I. Klimov. Nano Lett., 7 (11), 3469 (2007)
  5. T.J. Thornton. Rep. Progr. Phys., 57, 311 (1994)
  6. В.А. Кубальчинский. СОЖ, 7 (4), 98 (2001)
  7. C.-H. Kuo, J.-M. Wu, S.-J. Lin. Nanoscale Res. Lett., 8, 69 (2013)
  8. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (12), 8 ( 2015)
  9. Е.Г. Глуховской, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (14), 47 (2015)
  10. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской. Нанотехника, N 2 (38), 127 (2014)
  11. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской. Тез. докл. Х науч.-практич. конф. Нанотехнологии --- производству" (М., Изд-во "Янус-К", 2014), с. 144
  12. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, 2004)
  13. С.А. Рыков. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур (СПб., Наука, 2001)
  14. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир. 1967)
  15. Н.В. Егоров, Е.П. Шешин. Электронная эмиссия (М., Интеллект, 2011)
  16. J. Tersoff. Phys. Rev., 40 (17), 11 990 (1989)
  17. H. Chen, R.M. Feenstra, G.C. Aers, P.J. Poole, R.L. Williams, S. Charbonneau, P.G. Piya, R.D. Goldberg, I.V. Mitchell. J. Appl. Phys., 89, 4815 (2001)
  18. Ю. Пожела, К. Пожела, А. Шиленас, Э. Ширмулис, И. Кашалинас, В. Юцене, Р. Венцкявичус. ФТП, 48 (12), 1597 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.