Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 7 » Статья стр. 886
<<<>>>
Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi2Se3 и дырок в Sb2Te3
Кудряшов А.А. 1, Кытин В.Г. 1, Лунин Р.А. 1, Кульбачинский В.А. 1,2, Banerjee A.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Department of Physics, University of Calcutta, 92 A P C Road, Kolkata 700 009, India
Email: aa.kudryashov@physics.msu.ru, kytin@mig.phys.msu.ru, lunin@mig.phys.msu.ru, kulb@mig.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
Исследован эффект Шубникова-де-Гааза и эффект Холла в монокристаллах n-Bi2-xTlxSe3 (x=0, 0.01, 0.02, 0.04) и p-Sb2-xTlxTe3 (x=0, 0.005, 0.015, 0.05). По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании Tl. Установлено, что легирование Tl понижает концентрацию электронов в n-Bi2-xTlxSe3 и увеличивает их подвижность. В p-Sb2-xTlxTe3 и концентрация дырок, и их подвижность уменьшаются при легировании Tl. Обсуждается изменение дефектности кристаллов, которое и приводит к этим эффектам.
  1. G.S. Nolas, J. Sharp, H.J. Goldsmid. Thermoelectrics: Basic Principles and New Materials Developments (Springer, N. Y., 2001)
  2. H.J. Goldsmith. Introduction to thermoelectricity (Springer, N. Y., 2010)
  3. K. Behnia. Fundamentals of Thermoelectricity (Oxford, United Kingdom, 2015)
  4. G.J. Snyder, E.S. Toberer. Nature Mater., 7, 105 (2008)
  5. A. Soni, Z. Yanyuan, Y. Ligen, M.K.K. Aik, M.S. Dresselhaus, Q. Xiong. Nano. Lett., 12, 1203 (2012)
  6. A. Akrap, A. Ubaldini, E. Giannini, L. Forro. EPL, 107, 57008 (2014)
  7. V.A. Kulbachinskii, A.Yu. Kaminsky, K. Kindo, Y. Narumi, K. Suga, S. Kawasaki, M. Sasaki, N. Miyajima, G.R. Wu, P. Lostak, P. Hajek. Phys. Status Solidi B, 229 (3), 1467 (2002)
  8. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, П.М. Тарасов, Н.А. Юзеева. ФТТ, 52 (9), 1707 (2010)
  9. N.B. Brandt, V.A. Kulbachinskii. Semicond. Sci. Technol., 7, 907 (1992)
  10. V.A. Kulbachinskii, Z.M. Dashevskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.S. Gao, P. Lostak, J. Horak, A. de Visser. Phys. Rev. B, 52, 10915 (1995)
  11. D. Das, K. Malik, A.K. Deb, S. Dhara, S. Bandyopadhyay, A. Banerjee. J. Appl. Phys., 118, 045 102 (2015)
  12. L.W. da Silva, M. Kaviany, C. Uher. J. Appl. Phys., 97, 114 903 (2005)
  13. S.K. Mishra, S. Satpathy, O.J. Jepsen. J. Phys. Condens. Matter, 9, 461 (1997)
  14. A.A. Bayaz, A. Giani, A. Foucaran, F. Pascal-Delannoy, A. Boyer. Thin Sol. Films, 441, 1 (2003)
  15. R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
  16. T.M. Tritt. Science, 283, 804 (1999)
  17. K. Kadel, L. Kumari, W.Z. Li, J.Yu. Huang, P.P. Provencio. Nanoscale Res. Lett., 6, 57 (2011)
  18. M.S. Dresselhaus, G. Chen, M.Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wang, Z. Ren, J.P. Fleurial, P. Gogna. Adv. Mater., 19, 1043 (2007)
  19. P. Janivcek, vC. Dravsar, L. Benevs, P. Lovst'ak. Cryst. Res. Technol., 44, 505 (2009)
  20. P. Lovst'ak, R. Novotny, J. Horak, J. Klikorka. Physica Status Solidi A, 89, K55 (1985)
  21. A. Sher, M. Shilon, L. Ben-dor. J. Electron. Mater., 12, 983 (1983)
  22. В.А. Кульбачинский, А.Ю. Каминский, В.Г. Кытин, П. Лостак, Ч. Драшар, А. де Виссер. ЖЭТФ, 117, 1242 (2000) [JETP, 90 (6), 1081 (2000)]
  23. V.A. Kulbachinskii, N. Miura, H. Nakagawa, C. Drashar, P. Lostak. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 5273 (1999)
  24. В.А. Кульбачинский, А.А. Кудряшов, В.Г. Кытин. ФТП, 49 (6), 786 (2015)
  25. V.A. Kulbachinskii, A.A. Kudryashov, V.G. Kytin. J. Phys.: Conf. Ser., 568, 052 014 (2014)
  26. P.M. Koenraad. Delta Doping of Semiconductors, ed. by E.F. Schubert (Cambridge University Press, Cambridge, 1996) ch. 17
  27. P.M. Koenraad, A.F.W. van de Stadt, G.Q. Hai, J.M. Shi, P. Vansant, F. Peeters, J. Devreese, J.A.A.J. Perenboom, J.H. Wolter. Physica B, 211, 462 (1995)
  28. P.T. Coleridge, R. Stoner, R. Fletcher. Phys. Rev. B, 39, 1120 (1989)
  29. V.A. Kul'bachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, V.G. Mokerov, A.P. Senichkin, A.S. Bugaev, A.L. Karuzski, A.V. Perestoronin. Semiconductors, 33, 771 (1999)
  30. V.A. Kulbachinskii, L.N. Oveshnikov, R.A. Lunin, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, S.S. Pushkarev, P.P. Maltsev. Semiconductors, 49, 921 (2015)
  31. A. Isihara, L. Smrcka. J. Phys. C: Solid State Physics, 19, 6777 (1986)
  32. V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, N.A. Yuzeeva, I.S. Vasilievskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov. Semiconductors, 47, 935 (2013)
  33. V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, N.A. Yuzeeva, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov. J. Exp. Theor. Phys., 116, 755 (2013)
  34. V.A. Kulbachinskii, L.N. Oveshnikov, R.A. Lunin, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, P.P. Maltsev. Semiconductors, 49, 199 (2015)
  35. E. Skuras, R. Kumar, R.L. Williams, R.A. Stradling, J.E. Dmochowski, E.A. Johnson, A. Mackinnon, J.J. Harris, R.B. Beall, C. Skierbeszewski, J. Singleton, P.J. van der Wel. Semicond. Sci. Technol., 6, 535 (1991)
  36. V.A. Kulbachinskii, N. Miura, H. Nakagawa, H. Arimoto, T. Ikaida, P. Lostak, C. Drasar. Phys. Rev. B, 59, 15733 (1999)
  37. V.A. Kulbachinskii, N. Miura, H. Arimoto, T. Ikaida, P. Lostak, H. Horak, C. Drasar. J. Phys. Soc. Jpn., 68, 3328 (1999)
  38. G. Offergeld, J. van Cakenberghe. J. Phys. Chem. Solids, 11, 310 (1959)
  39. A. Sklenavr, C. Dravsar, A. Krejvcova, P. Lovst'ak. Cryst. Res. Technol., 35, 1069 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme