"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора
Михайлов А.И.1, Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Решанов С.А.2, Schoner A.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Ascatron AB, Kista, Swedwn
Email: m.aleksey.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Предложен новый метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого транзистора на карбиде кремния политипа 4H при помощи окисления двухслойной системы, состоящей из тонкого слоя нитрида кремния и диоксида кремния. Наряду с увеличением подвижности носителей заряда в канале транзистора наблюдается снижение среднего значения поля пробоя по сравнению с подзатворным диэлектриком, выращенным в атмосфере N2O.
  1. R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Device Lett., 20, 241 (1999)
  2. Ph. Jamet, S. Dimitrijev, Ph. Tanner. J. Appl. Phys., 90, 5058 (2001)
  3. G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S.T. Pantelides, L.C. Feldman, R.A. Weller. Appl. Phys. Lett., 76, 1713 (2000)
  4. M. Krieger, S. Beljakowa, L. Trapaidze, T. Frank, H.B. Weber, G. Pensl, N. Hatta, M. Abe, H. Nagasawa, A. Schoner. Phys. Status Solidi B, 245 (7), 1390 (2008)
  5. A.I. Mikhaylov, A.V. Afanasyev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, L. Knoll, R.A. Minamisawa, G. Alfieri, H. Bartolf. Mater. Sci. Forum, 821-823, 480 (2015)
  6. D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization (John Wiley \& Sons, 2006)
  7. S. Potbhare, N. Goldsman, A. Lelis, J.M. McGarrity, F.B. McLean, D. Habersat. IEEE Trans. Electron Dev., 55, 2029 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.