"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
Российский научный фонд, Гранты для поддержки ведущих лабораторий, 14-22-00273
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные проекты, 15-32-21036
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные проекты, 14-02-01074
Министерство образования и науки Российской Федерации, Гранты президента для поддержки молодых кандидатов наук, MK-5417.2015.2
Козловский В.И.1,2, Кривобок В.С.2,1, Кузнецов П.И.3, Николаев С.Н.1, Онищенко Е.Е.1, Пручкина А.А.1, Тимирязев А.Г.3, Мартовицкий В.П.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Московская область, Россия
Email: krivobok@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 6 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs выращены напряженные эпитаксильные слои ZnSe. Обнаружено, что на поверхности таких слоев формируются наноостровки Se плотностью от 108 до 109 см-2. Установлено, что после завершения роста происходит увеличение размера островков Se и уменьшение их плотности. Отжиг в атмосфере H2 при температуре выше 260oC приводит к исчезновению островка Se и уменьшению шероховатости поверхности. Показано, что отжиг не ведет к ухудшению структурного совершенства эпитаксиальных пленок ZnSe, при этом способствуя уменьшению интенсивности примесно-дефектной люминесценции и увеличению интенсивности собственного излучения вблизи дна экситонной зоны.
  1. D. Xu, W. Xie, W. Liu, J. Wang, L. Zhang, Y. Wang, S. Zhang, L. Sun, X. Shen, L. Chen. Appl. Phys. Lett., 104, 082 101 (2014)
  2. O. Kyriienko, T.C.H. Liew, I.A. Shelykh. Phys. Rev. Lett., 112, 076 402 (2014)
  3. C. Khripkov, C. Piermarocchi, A. Vardi. Phys. Rev. B, 88, 235 305 (2013)
  4. M.M. Glazov, M.A. Semina, E.Y. Sherman, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 88, 041 309 (2013)
  5. R. Balili, V. Hartwell, D. Snoke, L. Pfeiffer, K. West. Science, 316, 1007 (2007)
  6. J. Kasprzak, M. Richard, S. Kundermann, A. Baas, P. Jeambrun, J.M.J. Keeling, F.M. Marchetti, M.H. Szymanska, R. Andre, J.L. Staehli, V. Savona, P.B. Littlewood, B. Deveaud, L. Dang. Nature, 443, 409 (2006)
  7. J. Restrepo, C. Ciuti, I. Favero. Phys. Rev. Lett., 112, 013 601 (2014)
  8. F. Li, L. Orosz, O. Kamoun, S. Bouchoule, C. Brimont, P. Disseix, T. Guillet, X. Lafosse, M. Leroux, J. Leymarie, G. Malpuech, M. Mexis, M. Mihailovic, G. Patriarche, F. Reveret, D. Solnyshkov, J. Zuniga-Perez. Appl. Phys. Lett., 102, 191 118 (2013)
  9. K.S. Daskalakis, P.S. Eldridge, G. Christmann, E. Trichas, R. Murray, E. Iliopoulos, E. Monroy, N.T. Pelekanos, J.J. Baumberg, P.G. Savvidis. Appl. Phys. Lett., 102, 101 113 (2013)
  10. K. Sebald, M. Seyfried, S. Klembt, S. Bley, A. Rosenauer, D. Hommel, C. Kruse. Appl. Phys. Lett., 100, 161 104 (2012)
  11. X.B. Zhang, S.K. Hark. Appl. Phys. Lett., 74 (25), 3857 (1999)
  12. M. Lopez-Lopez, A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, I. Hernandez-Calderon. J. Cryst. Growth, 193, 528 (1998)
  13. J.B. Smathers, E. Kneedler. Appl. Phys. Lett., 72 1238, (1998)
  14. X.B. Zhang, K.L. Ha, S.K. Hark. J. Cryst. Growth, 223, 528 (2001)
  15. В.С. Багаев, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, А.В. Новиков. ЖЭТФ, 136, 1154 (2009)
  16. В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Д.А. Санников. ЖЭТФ, 132, 1379 (2007)
  17. J.W. Allen, Semicond. Sci. Technol., 10, 1049 (1995)
  18. G.B. Stringfellow, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 39, 3657 (1968)
  19. E.D. Wheeler, J.L. Boone, J.W. Farmer, H.R. Chandrasekhar. J. Appl. Phys., 81, 524 (1997)
  20. B.J. Skromme, S.M. Shibli, J.L. de Miguel, M.C. Tamargo. J. Appl. Phys., 69, 3999 (1989)
  21. A. D. Raisanen, L.J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, A. Franciosi. Appl. Phys. Lett., 66, 3301 (1995)
  22. K. Shahzad, J, Petruzzello, D.J. Olego, D.A. Cammack, J.M.Gaines. Appl. Phys. Lett., 57, 2452 (1990)
  23. W.C. Chou, A. Twardowski, K. Chern-Yu, F.R. Chen, C.R. Hua, B.T. Jonker, W.Y. Yu, S.T. Lee, A. Petrou, J. Warnock. J. Appl. Phys., 75, 2936 (1994)
  24. R.J. Thomas, Benjamin Rockwell, H.R. Chandrasekhar, Meera Chandrasekhar, A.K. Ramdas, M. Kobayashi, R.L. Gunshor. J. Appl. Phys., 78, 6569 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.