"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO2/Si
Векслер М.И.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Теоретически проанализированы особенности туннелирования электронов из валентной зоны кремния или в нее в системе металл-диэлектрик-полупроводник с двойным изолятором HfO2(ZrO2)/SiO2 в различных режимах. Показано, что при невысоких напряжениях относительная роль тока валентной зоны в структурах с HfO2(ZrO2)/SiO2 менее значительна, чем в структурах только с диоксидом кремния. В случае очень широкозонного high-K оксида (ZrO2) для компоненты тока валентная зона-металл предсказываются немонотонности, связанные с туннелированием через верхний барьер. Применение двухслойного диэлектрика может дать определенные преимущества для ряда приборов --- таких, как диод и биполярный транзистор с туннельным эмиттером (Tunnel Emitter Transistor, TET) или резонансно-туннельный диод --- помимо традиционного использования high-K диэлектриков в полевом транзисторе (MOSFET).
  1. G.D. Wilk, R.W. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89 (10), 5243 (2001)
  2. J. Robertson, R.W. Wallace. Mater. Sci. Eng. R, 88, 1 (2015)
  3. N. Yang, W.K. Henson, J.R. Hauser, J.J. Wortman. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-46 (7), 1464 (1999)
  4. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29 (3), 287 (1986)
  5. J.G. Mihaychuk, M.W. Denhoff, S.P. McAlister, W.R. McKinnon, A. Chin. J. Appl. Phys., 98, 054 502 (2005)
  6. G.G. Kareva, M.I. Vexler. Proc. 23rd Intl. Symp. Nanostructures" (St. Petersburg) p. 241 (2015)
  7. М.И. Векслер. Письма ЖТФ, 41 (17), 103 (2015)
  8. S. Monaghan, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, M.A. Negara, A. Schenk. Sol. St. Electron., 53 (4), 438 (2009)
  9. B. Govoreanu, P. Blomme, K. Henson, J. van Houdt, K. de Meyer. Proc. SISPAD (Boston, USA) p. 287 (2003)
  10. R.K. Chanana. IOSR J. Appl. Phys., 6 (4), ver. II, 55 (2014)
  11. М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В.В. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
  12. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
  13. J. Coignus, R. Clerc, C. Leroux, G. Reimbold, G. Ghibaudo, F. Boulanger. J. Vac. Sci. Technol. B, 27, 338 (2009)
  14. J.A. Rothschild, H. Avraham, E. Lipp, M. Eizenberg. Appl. Phys. Lett., 96, 122 102 (2010)
  15. W.-T. Lu, P.-C. Lin, T.-Y. Huang, C.-H. Chien, M.-J. Yang, I.-J. Huang, P. Lehnen. Appl. Phys. Lett., 85 (16), 3525 (2004)
  16. T. Ando, N.D. Sathaye, K.V.R.M. Murali, E.A. Cartier. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (7), 865 (2011).
  17. C.-S. Pang, J.-G. Hwu. AIP Advances, 4, 047 112 (2014)
  18. R.G. Southwick III, J. Reed, C. Buu, H. Bui, R. Butler, G. Bersuker, W.B. Knowlton. IEEE Intl. Integrated Reliability Workshop (IIRW), Final Report, p. 48 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.