Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия
Аверичкин П.А.1, Донсков А.А.1, Духновский М.П.2, Князев С.Н.1, Козлова Ю.П.3, Югова Т.Г.1, Белогорохов И.А.1
1Акционерное общество Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
2АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
3Институт ядерных исследований Российской академии наук, Москва, Россия
Email: P_Yugov@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Представлены результаты использования карбидкремнийоксидных (a-C : SiO1.5) пленок толщиной 30-60 нм, полученных пиролизным отжигом олигометилсилсесквиоксана (СН3-SiO1.5)n циклолинейной (лестничной) молекулярной структуры, в качестве промежуточных слоев для хлоридно-гидридной эпитаксии нитрида галлия на подложках поликристаллического CVD-алмаза. При пиролизном отжиге (СН3-SiO1.5)n в атмосфере азота при 1060oC происходит карбонизация метильных радикалов с образованием химически связанных с кремнием атомов углерода, которые за счет ковалентной связи с кремнием образуют монослой (SiC) на поверхности a-C : SiO1.5 пленок. Показан рост островков GaN на таком промежуточном слое на подложках СVD-полиалмаза в процессе хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе из газовой смеси GaCl-NH3-N2.
- A. Aleksov, X. Li, N. Govindaraju, J.M. Gobien, S.D. Wolter, J.T. Prater, Z. Sitar. Diamond Relat. Mater., 14, 308 (2005)
- А.Г. Васильев, В.И. Данилин, Т.И. Жукова. Электроника: наука, технология, бизнес, N 4, 68 (2007)
- П.А. Аверичкин, В.А. Кальнов, Е.А. Кожухова и др. Пат. РФ N 2374358 от 30.04.2008 г. Опубл. 27.11.2009 г. Бюл. N 33
- П.А. Аверичкин, В.А. Кальнов, Ю.П. Маишев и др. Структурные превращения винилсилсесквиоксанов в пленках при термообработке в различных газовых средах. Тр. Физико-технологического ин-та (М., Наука, 19, 78 (2008)
- А.И. Белогорохов, А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, Ю.П. Козлова, С.С. Малахов, М.В. Меженный, Т.Г. Югова. Матер. электрон. техн., N 1, 30 (2011)
- E. Cho, A. Mogilatenko, F. Brunner, E. Richter, M. Weyers. J. Cryst. Growth, 37, 206 (2013)
- D. Won, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 377, 51 (2013)
- H.J. Lee, S.W. Lee, H. Goto, H.-J. Lee, J.-S. Ha, K. Fujii, M.W. Cho, T. Yao, S.K. Hong. J. Cryst. Growth, 310, 920 (2008)
- J. Prazmowska, R. Korbutowicz, R. Paszkiewicz, A. Szyszka, A. Podhoroidecki, J. Misiewicz, M. Ttaczata. Mater. Sci. Poland, 26, 79 (2008)
- J. Prazmowska, R. Korbutowicz, R. Paszkiewicz, A. Szyszka, J. Sarafinczuk, A. Podhorodecki, J. Misiewicz, M. Tlaczola. Vacuum, 82, 988 (2008).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.