"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия
Аверичкин П.А.1, Донсков А.А.1, Духновский М.П.2, Князев С.Н.1, Козлова Ю.П.3, Югова Т.Г.1, Белогорохов И.А.1
1Акционерное общество Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
2АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
3Институт ядерных исследований Российской академии наук, Москва, Россия
Email: P_Yugov@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Представлены результаты использования карбидкремнийоксидных (a-C : SiO1.5) пленок толщиной 30-60 нм, полученных пиролизным отжигом олигометилсилсесквиоксана (СН3-SiO1.5)n циклолинейной (лестничной) молекулярной структуры, в качестве промежуточных слоев для хлоридно-гидридной эпитаксии нитрида галлия на подложках поликристаллического CVD-алмаза. При пиролизном отжиге (СН3-SiO1.5)n в атмосфере азота при 1060oC происходит карбонизация метильных радикалов с образованием химически связанных с кремнием атомов углерода, которые за счет ковалентной связи с кремнием образуют монослой (SiC) на поверхности a-C : SiO1.5 пленок. Показан рост островков GaN на таком промежуточном слое на подложках СVD-полиалмаза в процессе хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе из газовой смеси GaCl-NH3-N2.
  1. A. Aleksov, X. Li, N. Govindaraju, J.M. Gobien, S.D. Wolter, J.T. Prater, Z. Sitar. Diamond Relat. Mater., 14, 308 (2005)
  2. А.Г. Васильев, В.И. Данилин, Т.И. Жукова. Электроника: наука, технология, бизнес, N 4, 68 (2007)
  3. П.А. Аверичкин, В.А. Кальнов, Е.А. Кожухова и др. Пат. РФ N 2374358 от 30.04.2008 г. Опубл. 27.11.2009 г. Бюл. N 33
  4. П.А. Аверичкин, В.А. Кальнов, Ю.П. Маишев и др. Структурные превращения винилсилсесквиоксанов в пленках при термообработке в различных газовых средах. Тр. Физико-технологического ин-та (М., Наука, 19, 78 (2008)
  5. А.И. Белогорохов, А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, Ю.П. Козлова, С.С. Малахов, М.В. Меженный, Т.Г. Югова. Матер. электрон. техн., N 1, 30 (2011)
  6. E. Cho, A. Mogilatenko, F. Brunner, E. Richter, M. Weyers. J. Cryst. Growth, 37, 206 (2013)
  7. D. Won, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 377, 51 (2013)
  8. H.J. Lee, S.W. Lee, H. Goto, H.-J. Lee, J.-S. Ha, K. Fujii, M.W. Cho, T. Yao, S.K. Hong. J. Cryst. Growth, 310, 920 (2008)
  9. J. Prazmowska, R. Korbutowicz, R. Paszkiewicz, A. Szyszka, A. Podhoroidecki, J. Misiewicz, M. Ttaczata. Mater. Sci. Poland, 26, 79 (2008)
  10. J. Prazmowska, R. Korbutowicz, R. Paszkiewicz, A. Szyszka, J. Sarafinczuk, A. Podhorodecki, J. Misiewicz, M. Tlaczola. Vacuum, 82, 988 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.