Вышедшие номера
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
Минтаиров С.А.1, Емельянов В.М.1, Рыбальченко Д.В.1, Салий Р.А.1, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей на подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия ~24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 1050-1100 нм ~80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразоввтелей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия >10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои.