Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей на подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия ~24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 1050-1100 нм ~80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразоввтелей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия >10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои.
- K. Sasaki, T. Agui, K. Nakaido, N. Takahashi, R. Onitsuka, T. Takamoto. Proc. 9th Intern. Conf. Concentrator Photovoltaic Systems (Miyazaki, Japan, 2013) p. 22
- F. Dimroth, M. Grave, P. Beutel, U. Fiedeler, C. Karcher, T.N.D. Tibbits. Progr. Photovolt. Res. Appl., 22 (3), 277 (2014)
- R. King, A. Boca, W. Hong, X.-Q. Liu, D. Bhusari, D. Larrabee, K.M. Edmondson, D.C. Law, C.M. Fetzer, S. Mesropian, N.H. Kamar. Proc. 24th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (Hamburg, Germany, 2009) p. 55
- R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
- W. Guter, J. Schone, S. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 504 (2009)
- D.C. Law, X.Q. Liu, J.C. Boisvert, E.M. Redher, C.M. Fetzer, S. Mesropian, R.R. King, K.M. Edmondson, B. Jun, R.L. Woo, D.D. Krut, P.T. Chiu, D.M. Bhusari, S.K. Sharma, N.H. Karam. Proc. 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Austin, TX, 2012) p. 003 146
- M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 278
- С.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (8), 1118 (2010)
- В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, В.М. Лантратов. НТВ СПбГПУ, 2, 17 (2009)
- V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. Proc. 23th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Valencia, Spain, 2008) p. 375
- В.Б. Егоров. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1986)
- C.M. Fetzer, H. Yoon, R.R. King, D.C. Law, T.D. Ischiki, N.H. Karam. J. Cryst. Growth, 276, 48 (2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
