"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
Минтаиров С.А.1, Емельянов В.М.1, Рыбальченко Д.В.1, Салий Р.А.1, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей на подложках GaAs. Показано, что использование многослойного метаморфного буфера с шагом по содержанию индия 2.5% и толщине слоев 120 нм обеспечивает высокое качество последующих объемных слоев вплоть до концентрации индия ~24%. Получены фотопреобразователи с длинноволновым краем фоточувствительности вплоть до 1300 нм и уровнем квантового выхода фотоответа в диапазоне 1050-1100 нм ~80%. Анализ напряжения холостого хода фотопреобразоввтелей и диффузионных длин неосновных носителей заряда в слоях позволил установить, что при содержании индия >10% происходит возрастание плотности дислокаций, прорастающих в объемные слои.
  1. K. Sasaki, T. Agui, K. Nakaido, N. Takahashi, R. Onitsuka, T. Takamoto. Proc. 9th Intern. Conf. Concentrator Photovoltaic Systems (Miyazaki, Japan, 2013) p. 22
  2. F. Dimroth, M. Grave, P. Beutel, U. Fiedeler, C. Karcher, T.N.D. Tibbits. Progr. Photovolt. Res. Appl., 22 (3), 277 (2014)
  3. R. King, A. Boca, W. Hong, X.-Q. Liu, D. Bhusari, D. Larrabee, K.M. Edmondson, D.C. Law, C.M. Fetzer, S. Mesropian, N.H. Kamar. Proc. 24th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (Hamburg, Germany, 2009) p. 55
  4. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
  5. W. Guter, J. Schone, S. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 504 (2009)
  6. D.C. Law, X.Q. Liu, J.C. Boisvert, E.M. Redher, C.M. Fetzer, S. Mesropian, R.R. King, K.M. Edmondson, B. Jun, R.L. Woo, D.D. Krut, P.T. Chiu, D.M. Bhusari, S.K. Sharma, N.H. Karam. Proc. 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Austin, TX, 2012) p. 003 146
  7. M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 278
  8. С.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (8), 1118 (2010)
  9. В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, В.М. Лантратов. НТВ СПбГПУ, 2, 17 (2009)
  10. V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. Proc. 23th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Valencia, Spain, 2008) p. 375
  11. В.Б. Егоров. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1986)
  12. C.M. Fetzer, H. Yoon, R.R. King, D.C. Law, T.D. Ischiki, N.H. Karam. J. Cryst. Growth, 276, 48 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.