Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A^IIIN

нет

Борисенко С.И.

¹Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Email: sib@tpu.ru

Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

PDF версия

Методом прогонки проведен расчет зависимости эффективного времени релаксации от концентрации электронов в нитридах А^IIIN при рассеянии на продольных полярных оптических фононах. Метод учитывает неупругость рассеяния электронов на полярных оптических фононах для нитридов в сфалеритном приближении. Расчеты показали существенное увеличение подвижности в образцах с вырожденным электронным газом при учете экранировки дальнодействующего потенциала продольных полярных оптических фононов.

Р. Куэй. Электроника на основе нитрида галлия (М., Техносфера, 2011), с. 592. [Пер. с англ.: R. Quay. Gallium Nitride Electronics, ed. by R. Hull, R.M. Osgood, jr., J. Parisi, H. Warlimont (Springer Series in Materials Science, Springer--Verlag Berlin Heidelberg, 2008)]
H. Morkoc. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (Wiley--VCH, 2009) c. 898
C.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Изв. вузов. Физика, 56 (9), 23 (2013)
A. Fortini, B. Diguet, J. Lugand. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 2155 (1961)
H. Ehrenreich. Phys. Rev., 120, 1951 (1960)
С.И. Борисенко. ФТП, 35 (3), 313 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель