"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах AIIIN
нет
Борисенко С.И. 1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: sib@tpu.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Методом прогонки проведен расчет зависимости эффективного времени релаксации от концентрации электронов в нитридах АIIIN при рассеянии на продольных полярных оптических фононах. Метод учитывает неупругость рассеяния электронов на полярных оптических фононах для нитридов в сфалеритном приближении. Расчеты показали существенное увеличение подвижности в образцах с вырожденным электронным газом при учете экранировки дальнодействующего потенциала продольных полярных оптических фононов.
  1. Р. Куэй. Электроника на основе нитрида галлия (М., Техносфера, 2011), с. 592. [Пер. с англ.: R. Quay. Gallium Nitride Electronics, ed. by R. Hull, R.M. Osgood, jr., J. Parisi, H. Warlimont (Springer Series in Materials Science, Springer--Verlag Berlin Heidelberg, 2008)]
  2. H. Morkoc. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (Wiley--VCH, 2009) c. 898
  3. C.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Изв. вузов. Физика, 56 (9), 23 (2013)
  4. A. Fortini, B. Diguet, J. Lugand. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 2155 (1961)
  5. H. Ehrenreich. Phys. Rev., 120, 1951 (1960)
  6. С.И. Борисенко. ФТП, 35 (3), 313 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.