"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Два этапа поверхностного дефектообразования в МОП структуре при низкоинтенсивном воздействии gamma-излучения
Попов В.Д.1
1Национальный исследовательский ядерный университет Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
Email: wdpopov@mailru
Поступила в редакцию: 11 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Приводятся результаты экспериментального исследования образования поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO2 при мощностях дозы gamma-излучения P=0.1 и 1.0 рад/с. Установлено, что имеют место два этапа процесса образования поверхностных дефектов. Проведен анализ механизмов дефектообразования.
  1. Чжо Ко Вин. ЭТ (Полупроводниковые приборы), 1 (228), 54 (2012)
  2. О.В. Александров. ФТП, 48, 523 (2014)
  3. И.И. Катеринич, В.Д. Попов, Чжо Ко Вин. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру (Лыткарино, ФГУП НИИП, 2012) вып. 1, с. 43
  4. В.Д. Попов, Чжо Ко Вин. Матер. XIII Междунар. конф. Физика диэлектриков" (СПб., Россия, 2014) т. 2, с. 234
  5. P.J. McWhorter, P.S. Winokur. J. Appl. Phys. Lett., 48, 133 (1986)
  6. S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witzak, A. Mishez, S.T. Pantelides. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2650 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.