Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Два этапа поверхностного дефектообразования в МОП структуре при низкоинтенсивном воздействии gamma-излучения
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
Email: wdpopov@mailru
Поступила в редакцию: 11 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Приводятся результаты экспериментального исследования образования поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO2 при мощностях дозы gamma-излучения P=0.1 и 1.0 рад/с. Установлено, что имеют место два этапа процесса образования поверхностных дефектов. Проведен анализ механизмов дефектообразования.
- Чжо Ко Вин. ЭТ (Полупроводниковые приборы), 1 (228), 54 (2012)
- О.В. Александров. ФТП, 48, 523 (2014)
- И.И. Катеринич, В.Д. Попов, Чжо Ко Вин. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру (Лыткарино, ФГУП НИИП, 2012) вып. 1, с. 43
- В.Д. Попов, Чжо Ко Вин. Матер. XIII Междунар. конф. Физика диэлектриков" (СПб., Россия, 2014) т. 2, с. 234
- P.J. McWhorter, P.S. Winokur. J. Appl. Phys. Lett., 48, 133 (1986)
- S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witzak, A. Mishez, S.T. Pantelides. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2650 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
