Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In2xGa2(1-x)Te3/InAs и In2Te3/InAs
1Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия 
2Старооскольский технологический институт им. А.А. Угарова (филиал) Национального исследовательского технологического университета МИСиС, Старый Оскол, Россия
3Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина, Воронеж, Россия
2Старооскольский технологический институт им. А.А. Угарова (филиал) Национального исследовательского технологического университета МИСиС, Старый Оскол, Россия
3Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина, Воронеж, Россия
Email: gazon1978@yandex.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Методами адмиттанса, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик изучены гетероструктуры In2xGa2(1-x)Te3/InAs и In2Te3/InAs, полученные технологиями квазизамкнутого объема и напыления. Установлен спектр распределения локальных энергетических уровней на границе раздела. Методом адмиттанса обнаружен новый акцепторный центр с энергией 0.36 эВ наряду с известным донором с энергией 0.5 эВ. Концентрация акцепторных центров Nt зависит от способа получения и технологических режимов. Кинетика генерационно-рекомбинационных процессов в интервале температур 70-400 K не влияет на изолирующие свойства диэлектрического слоя In2Te3 или In2xGa2(1-x)Te3 (x~0.65), поэтому показана возможность использования их в качестве гетероструктур полевых транзисторов.
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлeв, А.И.Торопов, А.И. Лапин, Е.И. Голант, А.А. Капралова. ФТП, 48 (5), 684 (2014)
- В.Ф. Сыноров, Б.И. Сысоев. Проблемы диэлектрической электроники. Сб. статей, под ред. С.А. Азимова (Ташкент, ФАН, 1974) с. 292
- Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, Т.А. Кузьменко, А.Н. Лихолет, Ю.В. Сыноров. Микроэлектроника, 27 (5), 353 (1998)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
- Т. Сугано. Введение в микроэлектронику (М., Мир, 1988) [Пер. с яп. Т. Сугано, Т. Икома, Ё. Такэиси]
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- В.Ф. Сыноров, Н.Н. Безрядин, Б.И. Сысоев, Н.А. Мартынова. Изв. вузов. Физика, 1, 82 (1981)
- Б.И. Сысоев, А.Н. Лихолет, В.Ф. Сыноров, А.П. Ровинский. Микроэлектроника, 6 (5), 454 (1977)
- Б.И. Сысоев, А.П. Ровинский, В.Ф. Сыноров, Н.Н. Безрядин. Микроэлектроника, 7 (2), 163 (1978)
- В.Ф. Сыноров, Б.И. Сысоев. Проблемы диэлектрической электроники. Сб. статей, под ред. С.А. Азимова (Ташкент, ФАН, 1974) с. 292
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Н.Г. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
- В.М. Кошкин, Л.С. Палатник. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 4 (11), 1835 (1968)
- Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
- Я.А. Угай. Введение в химию полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин и др. Изв. РАН. Неорг. матер., 32 (12), 1449 (1996)
- Н.Н. Безрядин, Ю.В. Сыноров, А.М. Самойлов и дp. Вестн. ВГТУ. Материаловедение, 1 (11), 47 (2002)
- Д. Луфт. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982)
- Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, В.Н. Моргунов, Ю.К. Шлык. Межвуз. сб. (Воронеж, ВПИ, 1986) с. 86
- Ю.К. Шлык, В.Н. Моргунов, Г.М. Щевелева, Н.Н. Безрядин, Т.А. Кузьменко. Полупроводниковая электроника. Межвуз. сб. (Воронеж, ВГПИ, 1985) с. 5
- Л.А. Балагуров, О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук и др. ФТП, 10 (6), 1108 (1976)
- Н.Н. Безрядин, Е.А. Михайлюк, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова. Вестн. ВГТУ, Воронеж, 10 (4), 69 (2014)
- В.М. Эккерман, Я.Е. Гегузин, Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин. Легированные полупроводники (М., Наука, 1975) с. 31
- Технология тонких пленок. Справочник под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ. (М., Сов. радио, 1977) т. 1
- Н.А. Горюнова. ДАН СССР, 121 (5), 848 (1958)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова, Ю.К. Шлык. Proc. 35 Intern. Wiss. Коll. --- Т.Н. Ilmenau, (1990) p. 15
- Е.А. Михайлюк, Т.В. Прокопова, Е.А. Татохин, Н.Н. Безрядин. Вестн. ВГУ, Воронеж, 10 (4), 37 (2014)
- Б.Д. Ананьина, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков и др. ФТП, 13 (5), 961 (1979)
- В.П. Махний. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27 (3), 519 (1991)
- Е.А. Михайлюк, Т.В. Прокопова, Е.А. Татохин. Евразийский Союз Ученых (ЕСУ), 5 (6), 7 (2014)
- Е.А. Михайлюк, Т.В. Прокопова, Н.Н. Безрядин. Конденсированные среды и межфазные границы, 17 (2), 181 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
