Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об измерениях коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в 4H-SiC
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия 
Email: semlab@yandex.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Проведен анализ всех опубликованных результатов измерений коэффициентов ударной ионизации электронов alphan и дырок alphap в 4H-SiC при 300 K. Показано, что наиболее правдоподобные аппроксимации зависимостей alphan,p от напряженности электрического поля E имеют обычный вид alphan,p=an,pexp(-En,p/E) при значениях подгоночных параметров an=38.6·106 см-1, En=25.6 МВ/см, ap=5.31·106 см-1, Ep=13.1 МВ/см. Эти зависимости alphan,p(E) использованы для расчета максимальной напряженности поля Eb и толщины области пространственного заряда wb при напряжении пробоя Ub. Получен ряд новых формул для вычисления alphan,p(E) из результатов измерения коэффициентов лавинного умножения и факторов избыточного шума при одностороннем освещении фотодиодов со ступенчатым легированием.
- O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 71, 90 (1997)
- O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. J. Electron. Mater., 27, 335 (1998)
- K. Ng, J.P.R. David, R.C. Tozer, G.J. Rees, F. Yan, H. Zhao, M. Weiner. IEEE Trans. Electron. Dev., 50, 1724 (2003)
- K. Ng, J.P.R. David, D.J. Massey, R.C. Toze, G.J. Rees, F. Yan, J.H. Zhao, M. Weiner. Mater. Sci. Forum, 457--460, 1069 (2004)
- W.S. Loh, B.K. Ng, S.I. Soloviev, H.-Y. Cha, P.M. Sandvik, C.M. Johnson, J.P.R. David. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 1984 (2008).
- W.S. Loh, J.P.R. David, B.K. Ng, S.I. Soloviev, P.M. Sandvik, J.S. Ng, C.M. Johnson. Mater. Sci. Forum, 615--617, 311 (2009)
- J.E. Green, W.S. Loh, A.R.J. Marshall, B.K. Ng, R.C. Tozer, J.P.R. David, S.I. Soloviev, P.M. Sandvik. IEEE Trans. Electron. Dev., 59, 1030 (2012)
- H. Niwa, J. Suda, T. Kimoto. Mater. Sci. Forum, 778--780, 461 (2014)
- R. Raghunathan, B.J. Baliga. Solid-State Electron., 43, 199 (1999)
- T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe, K. Kojima, K. Arai, N. Sano. Appl. Phys. Lett., 85, 1380 (2004)
- D.M. Nguyen, C. Raynaud, N. Dheilly, M. Lazar, D. Tournier, P. Brosselard, D. Planson. Diamond Relat. Mater., 20, 395 (2011)
- D.M. Nguyen, C. Raynaud, M. Lazar, G. Paques, S. Scharnholz, N. Dheilly, D. Tournier, D. Planson. Mater. Sci. Forum, 717--720, 545 (2012)
- W.S. Loh, C.M. Johnson, J.S. Ng, P.M. Sandvik, S.D. Arthur, S.I. Soloviev, J.P.R. David. Mater. Sci. Forum, 556--557, 339 (2007)
- A. Akturk, N. Goldsman, S. Aslam, J. Sigwarth, F. Herrero. J. Appl. Phys., 104, 026 101 (2008)
- C.A. Lee, R.A. Logan, R.L. Batdorf, J.J. Kleimack, W. Wiegmann. Phys. Rev., 134, A761 (1964)
- M.H. Woods, W.C. Johnson, M.A. Lampert. Solid-State Electron., 16, 381 (1973)
- G.E. Bulman, L.W. Cook, G.E. Stillman. Solid-State Electron., 25, 1189 (1982)
- Л.А. Кирдяшкина, А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин, С.Н. Юрков. ФТП, 24, 560 (1990)
- И.В. Грехов, Ю.H. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
- N.R. Howard. J. Electronics and Control, 13, ser. 1, 537 (1962)
- B.T. Dai, C.Y. Chang, J. Appl. Phys., 42, 5198 (1971)
- R.J. McIntyre. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 164 (1966).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
