Проведен анализ всех опубликованных результатов измерений коэффициентов ударной ионизации электронов alpha_n и дырок alpha_p в 4H-SiC при 300 K. Показано, что наиболее правдоподобные аппроксимации зависимостей alpha_n,p от напряженности электрического поля E имеют обычный вид alpha_n,p=a_n,pexp(-E_n,p/E) при значениях подгоночных параметров a_n=38.6·10⁶ см^-1, E_n=25.6 МВ/см, a_p=5.31·10⁶ см^-1, E_p=13.1 МВ/см. Эти зависимости alpha_n,p(E) использованы для расчета максимальной напряженности поля E_b и толщины области пространственного заряда w_b при напряжении пробоя U_b. Получен ряд новых формул для вычисления alpha_n,p(E) из результатов измерения коэффициентов лавинного умножения и факторов избыточного шума при одностороннем освещении фотодиодов со ступенчатым легированием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.