"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Королев Д.С.1, Михайлов А.Н.1, Белов А.И.1, Васильев В.К.1, Гусейнов Д.В.1, Окулич Е.В.1, Шемухин А.А.2, Суродин С.И.1, Николичев Д.Е.1, Нежданов А.В.1, Пирогов А.В.1, Павлов Д.А.1, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие ~25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN.
  1. M. Kumar, B. Roul, T.N. Bhat, M.K. Rajpalke, P. Misra, L.M. Kukreja, N. Sinha, A.T. Kalghatgi, S.B. Krupanidhi. Mater. Res. Bulletin, 45, 1581 (2010)
  2. E. Borsella, M. A. Garcia, G. Mattei, C. Maurizio, P. Mazzoldi, E. Cattaruzza, F. Gonella, G. Battaglin, A. Quaranta, F. D'Acapito. J. Appl. Phys., 90 (9), 4467 (2001)
  3. E. Borsella, C. de Julian Fernandez, M.A. Garci a, G. Mattei, C. Maurizio, P. Mazzoldi, S. Padovani, C. Sada, G. Battaglin, E. Cattaruzza, F. Gonella, A. Quaranta, F. D'Acapito, M.A. Tagliente, L. Tapfer. Nucl. Instr. Meth. B, 191, 447 (2002)
  4. C.W. White, J.D. Budai, J.G. Zhu, S.P. Withrow, M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 68, 2389 (1996)
  5. C.W. White, J.D. Budai, J.G. Zhu, S.P. Withrow, R.A. Zuhr, D.M. Hembree Jr., D.O. Henderson, A. Ueda, Y.S. Tung, R. Mu, R.H. Magruder. J. Appl. Phys., 79 (4), 1876 (1996)
  6. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, A. Mudryi, B. Dunetz, W. Wesch, E. Wendler. Phys. Status Solidi A, 209, 148 (2012)
  7. J. Fiedler, V. Heera, R. Hubner, M. Voelskow, S. Germer, B. Schmidt, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 116, 024 502 (2014)
  8. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268, 1818 (2010)
  9. А.В. Боряков, Д.Е. Николичев, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, А.В. Ершов, А.Н. Михайлов. ФТТ, 54 (2), 370 (2012)
  10. www.simnra.com
  11. Л. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок (М., Мир, 1989)
  12. W. Eckstein. Computer Simulation of Ion-Solid Interactions (Berlin, Springer, 1991)
  13. Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.