Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
Калядин А.Е.1, Соболев Н.А.1, Стрельчук А.М.1, Аруев П.Н.1, Забродский В.В.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
Исследованы n+-p-p+-светодиоды на основе SiGe, сильно легированные слои в которых изготовлены по диффузионной (диффузия бора и фосфора) и газофазной (нанесение слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором, путем газофазного осаждения) технологиям. Спектры электролюминесценции обоих типов светодиодов идентичны, однако интенсивность в диодах газофазной технологии ниже в ~ 20 раз. В диодах газофазной технологии по сравнению с диффузионными наблюдалось существенное увеличение обратных и прямых токов. Ухудшение люминесцентных и электрофизических характеристик газофазных диодов обусловлено образованием дефектов на границе между эмиттерным и базовым слоями.
- T. Stoica, L. Vescan, M. Goryll. J. Appl. Phys., 83, 3367 (1998)
- T. Stoica, L. Vescan. Semicond. Sci. Technol., 18, 409 (2003)
- N.A. Sobolev. Mater. Sci. Forum, 590, 79 (2008)
- A.M. Emel`yanov, N.A. Sobolev, T.M. Mel`nikova, N.V. Abrosimov. Sol. St. Phenomena, 108--109, 761 (2005)
- А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова, Н.В. Абросимов. ФТП, 39, 1170 (2005)
- В.Л. Суханов, П.Н. Аруев, М.В. Дроздова, Н.В. Забродская, В.В. Забродский, М.С. Лазеева, В.В. Филимонов, Е.В. Шерстнев. ФТП, 47, 174 (2013)
- Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.М. Тучкевич, Н.М. Шмидт, Б.С. Явич. Письма ЖТФ, 16, 11 (1979)
- А.Б. Грудинин, Е.И. Иванов, В.Л. Суханов, В.М. Тучкевич, Н.М. Шмидт. ФТП, 15, 920 (1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
