"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях АIIIВV
Громов Д.В.1, Мальцев П.П.2, Полевич С.А.3
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3АО "ЭНПО Специализированные электронные системы", Москва, Россия
Email: DVGromov@mephi.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

-1 Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений АIIIВV. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны lambda= 880-900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов.
  1. Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
  2. D.V. Gromov, V.V. Elesin, S.A. Polevich. Proc. 17th Int. Conf. Microwave and Telecommunication Technology (Sevastopol, 2007) v. 2, p. 657
  3. Р.А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2013)
  4. R.A. Khabibullin, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, D.S. Ponomarev, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Series, 345, 012 015 (2012)
  5. А.Ю. Никифоров, П.К. Скоробогатов, А.Н. Егоров, Д.В. Громов. Микроэлектроника, 43 (2), 127 (2014)
  6. П.К. Скоробогатов, А.Ю. Никифоров. IEEE Trans., NS-43 (6), 3115 (1996)
  7. D.V. Gromov, P.K. Skorobogatov, S.A. Polevich. Proc. 24th Int. Conf. Microwave and Telecommunication Technology (Sevastopol, 2014) v. 2, p. 852
  8. Д.В. Громов, С.А. Полевич, П.П. Мальцев. Радиотехника и электроника, 44 (11), 1 (1999)
  9. В.В. Елесин. Микроэлектроника, 43 (2), 133 (2014)
  10. G.V. Chukov, K.M. Amburkin. Proc. 24th Int. Conf. Microwave and Telecommunication Technology (Sevastopol, 2014) v. 2, p. 864

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.