"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Адсорбция галогенов на As-стабилизированной beta2-GaAs(001)-(2x4) поверхности
Бакулин А.В.1,2, Кулькова С.Е.1,2
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведено изучение адсорбции галогенов (F, Cl, Br, I) на As-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией beta2-(2x4). Анализируется влияние галогенов на структурные и электронные характеристики поверхности полупроводника. Показано, что T'2-позиция на краю вакансионного ряда энергетически является наиболее предпочтительной для адсорбции F, Cl и Br, тогда как I предпочитает H3-позицию между смежными димерами мышьяка третьего от поверхности слоя. Образование связи Ga-галоген предполагает перенос заряда через опустошение занятых орбиталей поверхностных атомов димеров мышьяка, что ведет к ослаблению Ga-As-связей в подложке. Проведены оценки ослабления связей между поверхностными атомами подложки вследствие взаимодействия галогенов с поверхностью.
  1. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin, Springer, 1995)
  2. W.G. Schmidt. Appl. Phys. A, 75, 89 (2002)
  3. S.-H. Lee, W. Moritz, M. Schefler. Phys. Rev. Lett., 85, 3890 (2000)
  4. W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Ann. Rev. Phys. Chem., 47, 527 (1996)
  5. S. Mirbt, N. Moll, A. Kley, E. Pehlke, M. Scheffler. Surf. Sci., 422, L177 (1999)
  6. A. Bakulin, S. Eremeev, O. Tereshchenko, E. Chulkov, S. Kulkova. IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng., 23, 012 015 (2011)
  7. А.В. Бакулин, C.Е. Еремеев, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова. ФТП, 45 (1), 23 (2011)
  8. A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, O.E. Tereshchenko. J. Phys. Chem. C, 118, 10 097 (2014)
  9. О.Е. Терещенко, С.В. Еремеев, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова. Письма ЖЭТФ, 91 (9), 511 (2010)
  10. W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. Lett., 81, 1465 (1998)
  11. W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 61, 2164 (2000)
  12. Y. Liu, A.J. Komrowski, A.C. Kummel. J. Chem. Phys., 110, 4608 (1999)
  13. P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
  14. G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
  15. G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
  16. G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mat. Sci., 6, 15 (1996)
  17. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
  18. S.M. Lee, S.-H. Lee, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 69, 125 317 (2004)
  19. D.R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and Physics (Boca Raton, CRC Press, 1996)
  20. K. Shiraishi, T. Ito. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1211 (1998)
  21. H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
  22. W.G. Schmidt, F. Bechstendt. Phys. Rev B, 54, 16 742 (1996)
  23. С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, А.В. Постников, И.Р. Шеин. ЖЭТФ, 131 (4), 667 (2007)
  24. N. Moll, A. Kley, E. Pehlke, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 54, 8844 (1996)
  25. S.Q. Wang, H.Q. Ye. Phys. Rev. B, 66, 235 111 (2002)
  26. S.Zh. Karazhanov, L.C. Lew Yan Voon. ФТР, 39 (2), 177 (2005)
  27. J.E. Northrup, S. Froyen. Mater. Sci. Eng. B, 30, 81 (1995)
  28. W.G. Sсhmidt, S. Mirbt, F. Beсhstedt. Phys. Rev. B, 62, 8087 (2000)
  29. C. Hogan, D. Paget, Y. Garreau, M. Sauvage, G. Onida, L. Reining, P. Chiaradia, V. Corradini. Phys. Rev. B, 68, 205 313 (2003)
  30. G. Henkelman, A. Arnaldsson, H. Jonsson. Comput. Mater. Sci., 36, 254 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.