Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Адсорбция галогенов на As-стабилизированной beta2-GaAs(001)-(2x4) поверхности
Бакулин А.В.1,2, Кулькова С.Е.1,2
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия 
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведено изучение адсорбции галогенов (F, Cl, Br, I) на As-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией beta2-(2x4). Анализируется влияние галогенов на структурные и электронные характеристики поверхности полупроводника. Показано, что T'2-позиция на краю вакансионного ряда энергетически является наиболее предпочтительной для адсорбции F, Cl и Br, тогда как I предпочитает H3-позицию между смежными димерами мышьяка третьего от поверхности слоя. Образование связи Ga-галоген предполагает перенос заряда через опустошение занятых орбиталей поверхностных атомов димеров мышьяка, что ведет к ослаблению Ga-As-связей в подложке. Проведены оценки ослабления связей между поверхностными атомами подложки вследствие взаимодействия галогенов с поверхностью.
- W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin, Springer, 1995)
- W.G. Schmidt. Appl. Phys. A, 75, 89 (2002)
- S.-H. Lee, W. Moritz, M. Schefler. Phys. Rev. Lett., 85, 3890 (2000)
- W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Ann. Rev. Phys. Chem., 47, 527 (1996)
- S. Mirbt, N. Moll, A. Kley, E. Pehlke, M. Scheffler. Surf. Sci., 422, L177 (1999)
- A. Bakulin, S. Eremeev, O. Tereshchenko, E. Chulkov, S. Kulkova. IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng., 23, 012 015 (2011)
- А.В. Бакулин, C.Е. Еремеев, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова. ФТП, 45 (1), 23 (2011)
- A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, O.E. Tereshchenko. J. Phys. Chem. C, 118, 10 097 (2014)
- О.Е. Терещенко, С.В. Еремеев, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова. Письма ЖЭТФ, 91 (9), 511 (2010)
- W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. Lett., 81, 1465 (1998)
- W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 61, 2164 (2000)
- Y. Liu, A.J. Komrowski, A.C. Kummel. J. Chem. Phys., 110, 4608 (1999)
- P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
- G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
- G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
- G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mat. Sci., 6, 15 (1996)
- J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
- S.M. Lee, S.-H. Lee, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 69, 125 317 (2004)
- D.R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and Physics (Boca Raton, CRC Press, 1996)
- K. Shiraishi, T. Ito. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1211 (1998)
- H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
- W.G. Schmidt, F. Bechstendt. Phys. Rev B, 54, 16 742 (1996)
- С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, А.В. Постников, И.Р. Шеин. ЖЭТФ, 131 (4), 667 (2007)
- N. Moll, A. Kley, E. Pehlke, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 54, 8844 (1996)
- S.Q. Wang, H.Q. Ye. Phys. Rev. B, 66, 235 111 (2002)
- S.Zh. Karazhanov, L.C. Lew Yan Voon. ФТР, 39 (2), 177 (2005)
- J.E. Northrup, S. Froyen. Mater. Sci. Eng. B, 30, 81 (1995)
- W.G. Sсhmidt, S. Mirbt, F. Beсhstedt. Phys. Rev. B, 62, 8087 (2000)
- C. Hogan, D. Paget, Y. Garreau, M. Sauvage, G. Onida, L. Reining, P. Chiaradia, V. Corradini. Phys. Rev. B, 68, 205 313 (2003)
- G. Henkelman, A. Arnaldsson, H. Jonsson. Comput. Mater. Sci., 36, 254 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
