"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К теории двухфотонного линейного фотогальванического эффекта в n-GaP
Расулов В.Р.1, Расулов Р.Я.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
Email: r_rasulov51@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Построена количественная теория диагонального (баллистического) и недиагонального (сдвигового) по индексам зон вкладов в двухквантовый ток линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике со сложной зоной, обусловленный асимметрией актов рассеяния электронов на фононах и фотонах. Показано, что процессы, обусловленные одновременным поглощением двух фотонов, не дают вклады в баллистический фототок в n-GaP. Это связано с тем, что при этом не возникает асимметричное распределение по импульсу возбужденных фотонами электронов, оно возникает при последовательном поглощении двух фотонов с участием LO-фононов. Указано, что температурная зависимость сдвигового вклада в двухфотонный фототок в n-GaP будет определяться температурной зависимостью коэффициента поглощения света, обусловленного прямыми оптическими переходами электронов между подзонами X1 и X3. Указано, что в спектральной зависимости фототока наблюдается особенность в области частот света omega->Delta/2h, связанная с горбообразностью подзоны X1 n-GaP1 и корневой особенностью плотности состояния, определяемая как k-1omega=(2homega-Delta)-1/2, где Delta - энергетическая щель между подзонами X1 и X3. Получены спектральная и температурная зависимости коэффициента поглощения линейно поляризованного излучения n-GaP с учетом горба" нижней подзоны зоны проводимости.
  1. С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, Е.Л. Ивченко, Е.Ю. Перлин, Я.В. Терентьев, И.Д. Федоров. ЖЭТФ, 91, 1233 (1986)
  2. С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярошецкий, Б.Я. Авербух. ЖЭТФ, 103, 198 (1993)
  3. Р.Я. Расулов. ФТT, 35, 1107 (1993)
  4. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena (Springer Series in Solid-State Sciences, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1995; second edition 1997) v. 110, p. 657
  5. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (E.L. Ivchenko. Harrow: Alpha Science International Ltd, 2005) v. XII, p. 427
  6. Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванические эффекты в средах без центра инверсии (М., Наука, 1992) c. 208
  7. А.В. Андрианов, Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 81, 2080 (1981)
  8. Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Р.Я. Расулов. ФТТ, 26, 3362 (1984)
  9. Е.Л. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус, Р.Я. Расулов. ФТП, 18, 93 (1984)
  10. Р.Я. Расулов, Т. Эски, Ю.Е. Саленко. ФТП, 32, 52 (1998)
  11. Ю.Б. Лянда-Галлер, Р.Я. Расулов. ФТТ, 33, 945 (1998)
  12. Р.Я. Расулов, У.Г. Ганиев, X. Сидикова. ФТП, 27, 374 (1993)
  13. V.I. Belinicher, E.L. Ivchenko, B.I. Sturman. The contribution of density mаtrix nondiagonal components to photogalvаnic effect (Preprint, 169, IA and E. of Sib. Br. of the Ac. Sci., Novosibirsk, 1981) p. 8
  14. В.И. Белиничер, Е.Л. Ивченко, Б.И. Стурман. ЖЭТФ, 83 649 1982)
  15. Р.Я. Расулов, У.Г. Ганиев, X. Сидикова. ФТП, 27, 635 (1993)
  16. Р.Я. Расулов. Узб. физ. журн., 4, 36 (1991)
  17. W. Weber, L.E. Golub, S.N. Danilov. Phys. Rev. B, 77, 2450 (2008)
  18. Л.Е. Голуб, Е.Л. Ивченко. ЖЭТФ, 139, 175 (2011)
  19. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 584
  20. Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников (Ташкент, Фан, 1989) с. 126
  21. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика (М., Физматлит, 2002) с. 536. ISBN5-9221-01250-0(T.X)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.