"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с delta-слоем Mn
Рыков А.В.1, Дорохин М.В.1, Малышева Е.И.1, Демина П.Б.1, Вихрова О.В.1, Здоровейщев А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: rikov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследованы люминесцентные свойства светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaAs/InGaAs со слоями, легированными Mn. Получены зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесценции от ростовых параметров --- содержания Mn, концентрации дырок. Обнаружено монотонное увеличение степени циркулярной поляризации электролюминесценции и температуры Кюри ферромагнитной структуры с ростом концентрации дырок, а также изменение знака степени циркулярной поляризации в зависимости от содержания Mn. Полученные данные объясняются с точки зрения известных моделей ферромагнетизма в структурах на основе ферромагнитных полупроводников.
  1. N. Dai, H. Luo, F.C. Zhang, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. Lett., 67 (27), 3824 (1991)
  2. I.A. Buyanova, G.Yu. Rudko, W.M. Chen, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 82, 1700 (2003)
  3. R.C. Myers, A.C. Gossard, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B, 69, 161 305(R) (2004)
  4. M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvonkov. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 24 (2008)
  5. В.Л. Коренев. Письма ЖЭТФ, 78 (9), 1053 (2003)
  6. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
  7. М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский, М.М. Прокофьева, А.Е. Шолина. ФТТ, 52 (11), 2147 (2010)
  8. T. Hartmann, S. Ye, P.J. Klar, W. Heimbrodt, M. Lampalzer, W. Stolz, T. Kurz, A. Loidl, H.-A. Krug von Nidda, D. Wolverson, J.J. Davies, H. Overhof. Phys. Rev. B, 70, 233 201 (2004)
  9. F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. III-V Ferromagnetic Semiconductors. Handbook of Magnetic Materials. V. 14, ed. by K.H.J. Buschow (Elsevier, 2002) v. 1, p. 1
  10. Y. Nishitani, D. Chiba, M. Endo, M. Sawicki, F. Matsukura, T. Diet, H. Ohno. Phys. Rev. B, 81, 045 208 (2010)
  11. С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма ЖЭТФ, 90 (10), 730 (2009)
  12. I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, I.V. Krainov, E. Laehderanta. Physica Status Solidi A, 211 (5), 1048 (2014)
  13. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Деминa, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптич. журн., 757 (6), 56 (2008)
  14. K.M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, I. Kuryliszyn, X. Liu, Y. Sasaki, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 65, 201 303(R) (2002)
  15. J. Blinowski, P. Kacman. Phys. Rev. B, 67, 121 204(R) (2003)
  16. T. Jungwirth, J. Sinova, J. Masek, J. Kucera, A.H. MacDonald. Rev. Mod. Phys., 78, 822 (2006)
  17. D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol, 17, 275 (2002)
  18. U. Bockelmann, W. Heller, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 55, 4469 (1997)
  19. A.O. Govorov, A.V. Kalameitsev. Phys. Rev. B, 71, 035 338 (2005)
  20. T. Jungwirth, K.Y. Wang, J. Mavsek, K.W. Edmonds, J. Konig, J. Sinova, M. Polini, N.A. Goncharuk, A.H. Mac Donald, M. Sawicki, A.W. Rushfoth, R.D. Campion, L.X. Zgao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B, 72, 165 204 (2005)
  21. Y. Nishitani, D. Chiba, M. Endo, M. Sawicki, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno. Phys. Rev. B, 81, 045 208 (2010)
  22. Th. Hartmann, S. Ye, P.J. Klar, W. Heimbrodt, M. Lampalzer, W. Stolz, T. Kurz, A. Loidl, H.-A. Krug von Nidda, D. Wolverson, J.J. Davies, H. Overhof. Phys. Rev. B, 70, 233 201 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.