Вышедшие номера
Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода
Соболев Н.А.1, Штельмах К.Ф.1,2, Калядин А.Е.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция в кристаллах n-Cz-Si после последовательной имплантации ионов эрбия при повышенной температуре и ионов кислорода при комнатной температуре. В спектрах фотолюминесценции наблюдаются так называемые X- и W-центры, сформированные из собственных межузельных атомов кремния, H- и P-центры, содержащие атомы кислорода, и Er-центр, содержащий ионы Er3+. Определены энергии возгорания и гашения фотолюминесценции для этих центров. Для X- и H-центров энергии определены впервые. В случае P- и Er-центров значения энергий практически совпадают с литературными данными. Для W-центров энергии гашения и возгорания интенсивности фотолюминесценции зависят от условий их образования.