Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода

Соболев Н.А.¹, Штельмах К.Ф.^1,2, Калядин А.Е.¹, Шек Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 мая 2015 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция в кристаллах n-Cz-Si после последовательной имплантации ионов эрбия при повышенной температуре и ионов кислорода при комнатной температуре. В спектрах фотолюминесценции наблюдаются так называемые X- и W-центры, сформированные из собственных межузельных атомов кремния, H- и P-центры, содержащие атомы кислорода, и Er-центр, содержащий ионы Er³⁺. Определены энергии возгорания и гашения фотолюминесценции для этих центров. Для X- и H-центров энергии определены впервые. В случае P- и Er-центров значения энергий практически совпадают с литературными данными. Для W-центров энергии гашения и возгорания интенсивности фотолюминесценции зависят от условий их образования.

W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
Н.А.Соболев, А.М.Емельянов, Е.И.Шек, В.И.Вдовин. ФТТ, 46, 39 (2004)
G. Davies. Phys. Rep., 176, 83 (1989)
P.K. Giri. Semicond. Sci. Technol., 20, 638 (2005)
Yu. Yang, J. Bao, C. Wang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 107, 123 109 (2010)
Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.И. Вдовин, Е.О. Паршин, М.И. Маковийчук. ФТП, 45, 1038 (2011)
B.J. Coomer, J.P. Goss, R. Jones, S. Oberg, R. Broddon. Physica B, 273--274, 505 (1999)
S. Takeda. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L639 (1991)
N.S. Minaev, A.V. Mudryi. Phys. Status Solidi A, 68, 561 (1981)
H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Е.О. Паршин. ФТТ, 47, 112 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель