Вышедшие номера
Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs
Волкова Н.С.1,2, Горшков А.П.3, Здоровейщев А.В.1, Истомин Л.А.2, Левичев С.Б.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследованы закономерности влияния дефектообразования при нанесении кобальтового контакта на оптоэлектронные характеристики структур с квантовыми точками InAs/GaAs и квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs. Из анализа температурных зависимостей фоточувствительности структур с квантовыми точками InAs/GaAs определены значения результирующего рекомбинационного времени жизни фотовозбужденных носителей в квантовых точках при различных условиях нанесения Co и параметрах структур.