"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Начальные стадии роста тройных соединений Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
Туктамышев А.Р.1, Машанов В.И.1, Тимофеев В.А.1, Никифоров А.И.1, Тийс С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Экспериментально определена зависимость критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту пленок Ge1-5xSi4xSnx, выращенных на Si(100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии в диапазоне температур 150-450oC. Данная зависимость имеет немонотонный характер, подобна зависимости критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту при осаждении чистого Ge на Si(100) и обусловлена изменением механизма двумерного роста. Получены зависимости среднего размера, плотности островков, а также отношение высоты островков к их латеральному размеру методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии. С увеличением температуры роста от 200 до 400oC увеличивается средний размер наноостровков от 4.7 до 23.6 нм.
  1. R.A. Soref, J. Kouvetakis, J. Tolle, J. Menendez V. D'Costa. J. Mater. Res., 22, 3281 (2007)
  2. V.R. D'Costa, Y.Y. Fang, J. Tolle, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. Lett., 102, 107 403 (2009)
  3. R.A. Soref. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 913 (1996)
  4. G. Sun, H.H. Cheng, J. Menendez, J.B. Khurgin, R.A. Soref. Appl. Phys. Lett., 90, 251 105 (2007)
  5. G. Sun, R.A. Soref, H.H. Cheng. Opt. Express, 19, 19 957 (2010)
  6. R.T. Beeler, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. IEEE J. Photovolt., 2, 434 (2012)
  7. Y.Y. Fang, J. Xie, J. Tolle, R. Roucka, V.R. D'Costa, A.V.G. Chizmeshya, J. Menendez, J. Kouvetakis. J. Am. Chem. Soc., 130, 16 095 (2008)
  8. J. Werner, M. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, A. Schirmer, E. Kasper, J. Schulze. Appl. Phys. Lett., 98, 061 108 (2011)
  9. J. Kouvetakis, J. Menendez, A.V.G. Chizmeshya. Ann. Rev. Mater. Res., 36, 497 (2006)
  10. S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
  11. O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
  12. M. Oehme, K. Kostecki, M. Shmid, F. Oliveira, E. Kasper, J. Schulze. Thin Sol. Films, 557, 169 (2014)
  13. V.I. Mashanov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, I.-S. Yu, H.H. Cheng. Nanoscale Res. Lett., 6, 85 (2011)
  14. A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov. Mater. Sci. Eng. B, 89, 180 (2002)
  15. P. Aella, C. Cook, J. Tolle, S. Zollner, A.V.G. Chizmeshya, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 84, 888 (2004)
  16. V.R. D'Costa, C.S. Cook, J. Menedez, J. Tolle, J. Kouvetakis, S. Zollner. Sol. St. Commun., 138, 309 (2006)
  17. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov. Microelectronics J., 40, 782 (2009)
  18. A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Central Eur. J. Phys., 6, 634 (2008)
  19. K. Ueda, K. Kinoshita, M. Mannami. Sur. Sci., 145, 261 (1984)
  20. M. Pedio, A. Cricenti. Sur. Sci., 374, 251 (1997)
  21. A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene. Phys. Rev. Lett., 85, 3672 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.