"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
XIX симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Селективное детектирование УФ-излучения на основе низкоразмерных гетероструктур ZnCdS/ZnMgS/GaP и ZnCdS/ZnS/GaP
Аверин С.В.1, Кузнецов П.И.1, Житов В.А.1, Захаров Л.Ю.1, Котов В.М.1, Алкеев Н.В.1, Гладышева Н.Б.2
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Федеральное государственное унитарное предприятие "Пульсар", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследованы детектирующие свойства периодических гетероструктур с квантовыми ямами ZnCdS, разделенными барьерными слоями ZnMgS или ZnS. Гетероструктуры выращены на полуизолирующих подложках GaP методом MOVPE. На их основе изготовлены МПМ-диоды с шириной встречно-штыревых контактов с барьером Шоттки и расстоянием между ними 3 мкм при общей площади детектора 100x100 мкм. Детекторы обладают низкими темновыми токами (10-12 А) и при низких напряжениях смещения обеспечивают узкополосный отклик (FWHM = 18 нм на длине волны 350 нм), определяемый составом квантовой ямы ZnCdS. При увеличении смещения до 70 В наблюдается сдвиг максимальной чувствительности детектора на длину волны 450 нм, обусловленный проникновением электрического поля внешнего смещения в полуизолирующую GaP подложку, при этом узкополосный отклик детектора на длине волны 350 нм сохраняется, т. е. обеспечивается двухцветное детектирование светового излучения.
  1. O. Ambaсher. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998) (и ссылки в этой статье)
  2. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003) (и ссылки в этой статье)
  3. E. Monroy, E. Munoz, F.J. Sanchez, F. Calle, E. Calleja, B. Beaumont, P. Gibart, J.A. Munoz, F. Cusso. Semicond. Sci. Technol., 13 (9), 1042 (1998)
  4. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J.A. Ibbetson et al. Appl. Phys. Lett., 75 (2), 247 (1999)
  5. X.H. Xie, Z.Z. Zhang, C.X. Shan, H.Y. Chen, D.Z. Shen. Appl. Phys. Lett., 101, 081104 (2012)
  6. E. Monroy, F. Vigue, F. Calle, J.I. Izpura, E. Munoz, J.-P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 77, 2761 (2000)
  7. S. Averin, P. Kuznetzov, V. Zhitov, L. Zakharov, N. Alkeev, N. Gladisheva. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 298 (2013)
  8. S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, N.V. Alkeev. Sol. St. Electron., 52, 618 (2008)
  9. I.K. Sou, M.C.W. Wu, T. Sun, K.C. Wong, G.K.L. Wong. J. Electron. Mater., 30 (6), 673 (2001)
  10. F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Electron. Lett., 36 (4), 352 (2000)
  11. S.J. Chang, Y.K. Su, W.R. Chen, J.F. Chen, W.H. Lan, W.J. Lin, Y.T. Cherng, C.H. Lin, V.H. Liaw. IEEE Phot. Techn. Lett., 14 (2), 188 (2002)
  12. W.-R. Chen, T.-H. Meen, Yi-Ch. Cheng, W.-J. Lin. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (5), 347 (2006)
  13. R.A. Metzger. Compound semiconductors, May/June, 29 (1996)
  14. E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, R33 (2003)
  15. Kyu-Tae Lee, Sugyong Seo, Jae Yong Lee, L. Jay Guo. Appl. Phys. Lett., 104, 231112 (2014)
  16. R.W. Sabnis. Displays, 20, 119 (1999)
  17. Zipeng Zhang. Appl. Phys. Lett., 99, 083502 (2011)
  18. С. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 38, Pt. 2 (5A), L487 (1999)
  19. S.K. Zhang, W.B. Wang, F. Yun, L. He, H. Morkoc, X. Zhon, M. Tamargo, R.R. Alfano. Appl. Phys. Lett., 81, 4628 (2002)
  20. Z. Yan, S. Jinglan, W. Nili, H. Li, L. Xiangyang, Li Xiangyang, M. Xiangjian. J. Semiconductors, 31 (12), 124015 (2010)
  21. Y.N. Hou, Z.X. Mei, Z.L. Liu, T.C. Zhang, X.L. Du.. Appl. Phys. Lett., 98, 103506 (2011)
  22. S. Averin, R. Sachot, J. Hugi, M. de Fays, M. Ilegems. J. Appl. Phys., 80 (3), 1553 (1996)
  23. S. Averin, O. Bondarenko, R. Sachot. Sol. St. Electron., 46, 2045 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.