"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике varepsilon-GaSe
Брудный В.Н.1, Саркисов С.Ю.1, Кособуцкий А.В.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Высота барьера Шоттки (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) как функция работы выхода металла, а также разрывы энергетических зон гетеропар InSe(0001)/GaSe(0001) и GaSe(0001)/Si(111) проанализированы в рамках концепции уровня зарядовой нейтральности, CNL(GaSe)=Evb+0.83 эВ, с учетом частичного экранирования интерфейсного электростатического диполя индуцированными металлом (полупроводником) состояниями туннельного типа на поверхности GaSe(0001).
  1. W. Schottky. Phys. Z., 41, 570 (1940)
  2. J. Bardin. Phys. Rev., 71, 717 (1947)
  3. J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 53, 465 (1984)
  4. J. Robertson, B. Falabretti. J. Appl. Phys., 100, 014 111 (2006)
  5. W. Monch. Appl. Surf. Sci., 92, 367 (1996)
  6. В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП, 44(9), 1194 (2010). (V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky, S.Yu. Sarkisov. Semiconductors, 44 (9), 1158 (2010))
  7. P.C. Leung, G. Andermana, W.G. Spitzer, C.A. Mead. J. Phys. Chem. Sol., 27, 849 (1966)
  8. S. Kurtin, T.C. McGill, C.A. Mead. Phys. Rev. B, 3, 3368 (1971)
  9. G.J. Hughes, F. MacKinley, R.H. Williams, I.T. Mc Govern. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, L159 (1982)
  10. А.Г. Кязым-заде, А.О. Губиев, В.И. Тагиров. ФТП, 15, 173 (1981). (A.G. Kyazym-zade, A.O. Gubiev, V.I. Tagirov. Sov. Phys. Semicond., 15, 102 (1981))
  11. H. Raqqass, J.-P. Lacharme, C.A. Sebenne, M. Eddrief, S. LeThanh. Appl. Surf. Sci., 92, 357 (1996)
  12. Wen-Chang Hyang, Chia-Tsung Horng, Tu-Min Chen, Yu-Kuei Hsu, Chen-Shiung Chang. Phys. Status Solidi C, 5 (10), 3405 (2008)
  13. Wen-Chang Hyang, Shui-Hsiang Su, Yu-Kuei Hsu, Chih-Chia Wang, Chen-Shiung Chang. Superlat. Microstruct., 40, 644 (2006)
  14. CRC Handbook of Chemistry and Physics version (2008), p. 12--114
  15. H. Reqqass, J.-P. Lachme, C.A. Sebenne, M. Eddrief, V.L. Than. Appl. Phys. Lett., 92, 357 (1996)
  16. O. Lang, A. Klein, C. Pettenkofer, W. Jaegermann. J. Appl. Phys., 80 (7), 3817 (1996)
  17. R.L. Anderson. Solid State Electron., 5, 341 (1962)
  18. W. Monch. Appl. Phys. Lett., 72 (15), 1899 (1998)
  19. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.