"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов
Бондаренко В.Б.1, Филимонов А.В.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследуются естественные неоднородности электрического потенциала на поверхности полупроводника в условиях частичной самоорганизации электрически активных дефектов - формирования в слоях обеднения донорно-акцепторных ионных пар. Определены амплитуда и характер пространственного распределения хаотического потенциала на поверхности полупроводника в случаях локализованных и делокализованных поверхностных состояний. Получена зависимость амплитуды хаотического потенциала от уровня компенсации полупроводника.
  1. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  2. В.Б. Бондаренко, М.В. Кузьмин, В.В. Кораблев. ФТП, 35 (8), 964 (2001) [Semiconductors, 35 (8), 927 (2001)]
  3. А.В. Филимонов, В.Б. Бондаренко, Е.Ю. Королева. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., N 7, 78 (2006)
  4. В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
  5. Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, О.Б. Охрименко, С.Ю. Сапко, Л.В. Шеховцов, В.Н. Иванов. ФТП, 35 (4), 439 (2001)
  6. Н.А. Авдеев, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев. ФТП, 40 (6), 711 (2006)
  7. А.С. Потапов, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43 (5), 640 (2009)
  8. В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. ФТП, 46 (1), 134 (2012)
  9. В.Б. Бондаренко, С.Н. Давыдов, А.В. Филимонов. ФТП, 44 (1), 44 (2010) [Semiconductors, 44 (1), 41 (2010)]
  10. В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, Е.Ю. Королева. Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., N 10, 79 (2010); A.V. Filimonov, V.B. Bondarenko, E.Y. Koroleva. J. Surface Investigation, 4 (5), 859 (2010).
  11. В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, А.И. Рудской. Изв. РАН. Сер. физ., 76 (5), 639 (2012) [Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 76 (5), 570 (2012)]
  12. С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
  13. В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, А.И. Рудской. Изв. РАН. Сер. физ., 78 (6), 674 (2014) [Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 78 (6), 475 (2014)]
  14. М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория (М., Мир, 1984)
  15. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  16. И.Е. Тамм. Основы теории электричества (М., Наука, 1976).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.