Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Исследуются естественные неоднородности электрического потенциала на поверхности полупроводника в условиях частичной самоорганизации электрически активных дефектов - формирования в слоях обеднения донорно-акцепторных ионных пар. Определены амплитуда и характер пространственного распределения хаотического потенциала на поверхности полупроводника в случаях локализованных и делокализованных поверхностных состояний. Получена зависимость амплитуды хаотического потенциала от уровня компенсации полупроводника.
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
- В.Б. Бондаренко, М.В. Кузьмин, В.В. Кораблев. ФТП, 35 (8), 964 (2001) [Semiconductors, 35 (8), 927 (2001)]
- А.В. Филимонов, В.Б. Бондаренко, Е.Ю. Королева. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., N 7, 78 (2006)
- В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
- Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, О.Б. Охрименко, С.Ю. Сапко, Л.В. Шеховцов, В.Н. Иванов. ФТП, 35 (4), 439 (2001)
- Н.А. Авдеев, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев. ФТП, 40 (6), 711 (2006)
- А.С. Потапов, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43 (5), 640 (2009)
- В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. ФТП, 46 (1), 134 (2012)
- В.Б. Бондаренко, С.Н. Давыдов, А.В. Филимонов. ФТП, 44 (1), 44 (2010) [Semiconductors, 44 (1), 41 (2010)]
- В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, Е.Ю. Королева. Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., N 10, 79 (2010); A.V. Filimonov, V.B. Bondarenko, E.Y. Koroleva. J. Surface Investigation, 4 (5), 859 (2010).
- В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, А.И. Рудской. Изв. РАН. Сер. физ., 76 (5), 639 (2012) [Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 76 (5), 570 (2012)]
- С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
- В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, А.И. Рудской. Изв. РАН. Сер. физ., 78 (6), 674 (2014) [Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 78 (6), 475 (2014)]
- М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория (М., Мир, 1984)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- И.Е. Тамм. Основы теории электричества (М., Наука, 1976).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
