"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гальваномагнитные низкотемпературные исследования чистого германия при собственном фотовозбуждении
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Статья посвящена вопросам разогрева носителей заряда электрическим полем в чистом Ge (концентрация примесей (Na+Ng) ≤ 5·1013 см-3) при межзонном подсвете. При такой генерации необходимо учитывать наличие двух типов свободных носителей заряда. При этом соотношение между концентрациями электронов и дырок в значительной мере зависит от величины электрического поля, так как оно по-разному влияет на коэффициенты рекомбинации носителей, приводя к новым эффектам. В работе изложены экспериментальные исследования проводимости sigma и постоянной Холла RH в n- и p-Ge при T = 4.2 K и разных интенсивностях собственного фотовозбуждения. Для объяснения результатов рассматривается модель межзонной рекомбинации, учитывающая глубокие примесные центры.
  1. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон. ФТП, 10, 1896 (1983)
  2. В.С. Вавилов. Действие излучения на полупроводники (ГИФМП, 1963)
  3. Э.Н. Гусинский. Автореф. канд. дис. (М., 1972)
  4. P.T. Landsberg, D.A. Evans, C. Phys-Roberts. Proc. Phys. Soc., 83, 325 (1964)
  5. P.T. Landsberg, C. Phys-Roberts. P. Lal. Proc. Phys. Soc., 84, 915 (1964)
  6. Я.Е. Покровский, К.И. Свистунова. ФТТ, 7 (6), 1837 (1965)
  7. Ю.Е. Перлин. УФН, 8 (4), 553 (1963)
  8. А.А. Рогачев, С.Н. Рывкин. ФТТ, 7 (6), 1837 (1965)
  9. С.Н. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  10. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.