Вышедшие номера
Вакансии в эпитаксиальном графене
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Методом когерентного потенциала рассмотрена задача о влиянии конечной концентрации случайно расположенных вакансий на плотность состояний эпитаксиального графена. Для описания плотности состояний подложки используются простые модели (Андерсона, Халдейна-Андерсона, параболическая). Электронный спектр однослойного свободного графена рассматривается в низкоэнергетическом приближении. Обсуждается переход заряда в системе графен-подложка. Показано, что во всех случаях плотность состояний эпитаксиального графена уменьшается пропорционально концентрации вакансий. При этом усредненное значение перехода заряда с графена в подложку увеличивается.