"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поведение примеси железа в кристаллах Hg3In2Te6
Грушка О.Г.1, Савчук А.И.1, Чупыра С.Н.1, Биличук С.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 2 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

На основе результатов оптических и фотоэлектрических измерений установлено, что легирование железом приводит к образованию в кристаллах Hg3In2Te6 глубокого уровня Ec-0.69 эВ. При поглощении света примесными центрами Fe2+ наблюдаются как электронные переходы примесной уровень--зона проводимости, так и оптические переходы между основным и возбужденным состояниями названного центра (внутрицентровые переходы). Исследования явлений переноса показали, что примесные центры Fe2+ проявляют акцепторные свойства.
  1. О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
  2. А.И. Малик, Г.Г. Грушка, Н.Р. Тевс. ЖТФ, 60 (6), 146 (1990)
  3. А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60 (10), 188 (1990)
  4. Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., МФТИ, 1999)
  5. Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1973)
  6. В.И. Фистуль. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями (М., Металлургия, 1987)
  7. Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, В.В. Яцун, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП, 45 (9), 1171 (2011)
  8. В.Ф. Агекян. ФТТ, 44 (11), 1921 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.