"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов
Мишина Е.Д.1, Шерстюк Н.Э.1, Шестакова А.П.1, Лавров С.Д.1, Семин С.В.1,2, Сигов А.С.1, Митиоглу А.3,4, Ангел С.3,5, Кулюк Л.3
1Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2Institute for Molecules and Materials, Radboud University Nijmegen, Nijmegen, The Netherlands
3Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, M Chisinau, Republic of Moldova
4Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, Toulouse, France
5Ruhr-Universitat Bochum, Anorganische Chemie III, Bochum, Germany
Поступила в редакцию: 16 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

В работе приведены результаты исследования оптических свойств наноразмерных по толщине монокристаллов полупроводниковых соединений MoS2 : Cl2 и WS2 : Br2. В микроскопических изображениях, полученных на длине волны второй гармоники (400 нм) обнаружены краевые эффекты, заключающиеся в усилении или ослаблении интенсивности сигнала второй гармоники. В отличие от предложенных ранее интерференционных механизмов краевых эффектов, рассмотрены неинтерференционные механизмы. Возникновение краевых эффектов связано либо с повышенной концентрацией молекул галогенов Cl2 и Br2, либо с электроиндуцированной второй гармоники, возникающей вследствие изгиба зон на краях отдельных слоев кристаллов.
  1. H.S. Lee, S.-W. Min, Y.-G. Chang, M.K. Park, et al. Nano Lett,, 12, 3695 (2012)
  2. K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105, 136 805 (2010)
  3. G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, M. Chhowalla. Nano Lett., 11, 5111 (2011)
  4. H. Wang, L. Yu, Y.-H. Lee, Y. Shi, A. Hsu, M. Chin, L.-J. Li, M. Dubey, J. Kong, T. Palacios. Nano Lett., 12, 4674 (2012)
  5. L. Kulyuk, D. Dumchenko, E. Bucher, K. Friemelt, O. Shenker, L. Charron, E. Fortin, T. Dumouchel. Phys. Rev. B, 72, 75 336 (2005)
  6. L. Kulyuk, L. Charon, E. Fortin. Phys. Rev. B, 68, 075 314 (2003)
  7. J. Chamings, S. Ahmed, S.J. Sweeney, V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 92, 021 101 (2008)
  8. H.-P. Komsa, J. Kotakoski, S. Kurasch, O.i Lehtinen, U. Kaiser, A.V. Krasheninnikov. Phys. Rev. Lett., 109, 035 503 (2012)
  9. S. Tongay, J. Suh, C. Ataca, W. Fan, A. Luce, J.S. Kang, J. Liu, C. Ko, R. Raghunathanan, J. Zhou, F. Ogletree, J. Li, J.C. Grossman, J. Wu. Scientific Reports, 3, 2657 (2013)
  10. S. Anghel, Yu. Chumakov, V. Kravtsov, A. Mitioglu, P. P ochocka, K. Sushkevich, G. Volodina, A. Colev, L. Kulyuk. arXiv:1411.3850v1[cond-mat.mtrl-sci]
  11. N. Huo, S. Yang, Z. Wei, S.-S. Li, J.-B. Xia, J. Li. Scientific Reports, 4, 5209 (2014)
  12. R. Suzuki, M. Sakano, Y.J. Zhang, R. Akashi, D. Morikawa, A. Harasawa, K. Yaji, K. Kuroda, K. Miyamoto, T. Okuda, K. Ishizaka, R. Arita, Y. Iwasa. Nature Nanotech., 9, 611 (2014)
  13. S. Wu, et al. Nature Phys., 9, 149 (2013)
  14. A.M. van der Zande, P.Y. Huang, D.A. Chenet, T.C. Berkelbach, YuM. You, G.-H. Lee, Tony F. Heinz, D.R. Reichman, D.A. Muller, J.C. Hone. Nature Materials, 12, 554 (2013)
  15. H.R. Gutierrez, N. Perea-Lopez, A.L. Eli as, A. Berkdemir, B. Wang, R. Lv, F. Lopez-Urias, V.H. Crespi, H. Terrones, M. Terrones. Nano Lett., 13, 3447 (2013)
  16. X. Yin et al. Science, 344, 488 (2014)
  17. Y. Li, S. Tongay, Q. Yue, J. Kang, J. Wu, J. Li. J. Appl. Phys., 114, 174 307 (2013)
  18. W.-T. Hsu, Zi-Ang Zhao, L.-J. Li, C.-H. Chen, M.-H. Chiu, Pi-S. Chang, Yi-C. Chou, W.-H. Chang. ASC Nano, 8, 2951 (2014)
  19. K. Novoselov. Science, 306, 666 (2004)
  20. D.M. D'Ambra, J.V. Marzik, R. Kershaw, J. Baglio, K. Dwight, A. Wold. J. Solid State Chemistry, 57, 351 (1985)
  21. A. Ubaldini, J. Jacimovic, N. Ubrig, E. Giannini. Cryst. Growth Des., 13, 4453 (2013)
  22. E. Mishina, N. Sherstyuk, S. Lavrov, A. Sigov, A. Mitioglu, S. Anghel, L. Kulyuk. Submitted to APL
  23. A. Colev, C. Gherman, V. Mirovitskii, L. Kulyuk, E. Fortin. J. of Luminescence, 129, 1945 (2009)
  24. O.A. Aktsipetrov, A.A. Fedyanin, E.D. Mishina, A.N. Rubtsov, C.W. van Hasselt, M.A.C. Devillers, Th. Rasing. Surf. Sci., 1033, 352 (1996)
  25. M. Lei, J. Price, M.C. Downer. Appl. Phys. Lett., 96, 241 105 (2010)
  26. T.A. Germer, K.W. Ko asin'ski, J.C. Stephenson, L.J. Richter. Phys. Rev. B, 55, 10 694 (1997)
  27. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М.: Мир, 1984) 456 с. [Пер. с англ.]
  28. A. Ayari, E. Cobas, O. Ogundadegbe, M.S. Fuhrer. J. Appl. Phys., 101, 014 507 (2007)
  29. M.M. Ugeda, A.J. Bradley, Su-Fei Shi, F.H. da Jornada, Y. Zhang, D.Y. Qiu, W. Ruan, S.-K. Mo, Z. Hussain, Z.-X. Shen, F. Wang, S.G. Louie, M.F. Crommie. Nature Materials, published online, DOI: 10.1038/NMAT4061 (2014)
  30. C.A. Koval, J.B. Olson. J. Electroanal. Chem., 234, 133 (1987)
  31. Q.H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J.N. Coleman, M.S. Strano. Nature Nanotech., 7, 699 (2012)
  32. R.H. Friend, A.D. Yoffe. Adv. in Physics, 36, 1 (1987)
  33. Y.C. Lee, J.L. Shen, K.W. Chen, W.Z. Lee, S.Y. Hu, K.K. Tiong, Y.S. Huang. J. Appl. Phys., 99, 63 706 (2006)
  34. Britnell, R.M. Ribeiro, A. Eckmann, R. Jalil, B.D. Belle, A. Mishchenko, Y.-J. Kim, R.V. Gorbachev, T. Georgiou, S.V. Morozov, A.N. Grigorenko, A.K. Geim, C. Casiraghi, A.H. Castro Neto, K.S. Novoselov. Science, 340, 1311 (2013)
  35. H. Shi, R. Yan, Simone Bertolazzi, J. Brivio, B. Gao, A. Kis, D. Jena, H.G. Xing, L. Huang. ACS Nano, 7, 1072 (2013)
  36. D. Wickramaratne, F. Zahid. J. Chem. Phys., 140, 124 710 (2014)
  37. C. Zhang, A. Johnson, C.-L. Hsu, L.-J. Li, C.-K. Shih. Nano Lett., 14, 2443 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.