Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 5 » Статья стр. 697
<<<>>>
Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов a-Si : H/mu c-Si : H. 1. Общие соотношения
Крюченко Ю.В.1, Саченко А.В.1, Бобыль А.В.2, Костылев В.П.1, Теруков Е.И.2,3, Абрамов А.С.2,3, Мальчукова Е.В.2, Соколовский И.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-технологическом институте им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
PDF версия
Развит подход к расчету характеристик вертикальных (последовательных) тандемных солнечных элементов на основе a-Si : H/mu c-Si : H при произвольных углах солнечного освещения. Учтено многократное отражение и преломление электромагнитных волн на внутренних границах раздела тандемного солнечного элемента, в том числе на интерфейсе a-Si : H/mu c-Si : H. Для расчета коэффициента неидеальности и плотности тока насыщения диодной составляющей вольт-амперной характеристики тандемного солнечного элемента, а также для расчета на основании этих параметров всех его основных фотовольтаических характеристик при произвольных углах падения солнечного излучения использованы общие соотношения, которые позволяют учесть рекомбинацию избыточных носителей заряда как в квазинейтральных областях, так и в областях пространственного заряда рассматриваемой структуры. В результате получены выражения, позволяющие определять все основные параметры составных частей тандемного солнечного элемента, которые необходимы для расчета фотовольтаических характеристик тандемного солнечного элемента в целом. В качестве демонстрации приведены результаты расчетов для стандартных условий освещения АМ1.5G (1000 Вт/м2).
  1. Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobyl, V.P. Kostylyov, P.N. Romanets, I.O. Sokolovskyi, A.I. Shkrebtii, E.I. Terukov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 15 (2), 91 (2012)
  2. Ю.В. Крюченко, А.В. Саченко, А.В. Бобыль, В.П. Костылев, И.О. Соколовский, Е.И. Теруков, В.Н. Вербицкий, Ю.А. Николаев. ЖТФ, 83 (11), 78 (2013)
  3. Ю.В. Крюченко, А.В. Саченко, А.В. Бобыль, В.П. Костылев, И.О. Соколовский, Е.И. Теруков, В.Н. Вербицкий, Ю.А. Николаев. ЖТФ, 83 (11), 86 (2013)
  4. Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobyl, V.P. Kostylyov, I.O. Sokolovskyi, E.I. Terukov, S.Zh. Tokmoldin, A.V. Smirnov. Energy Policy, 68 (5), 116 (2014)
  5. R.E.I. Schropp, M. Zeman. Amorphous and Microcrystalline Silicon Solar Cells: Modeling, Materials and Device Technology (Dordrecht, the Netherlands --- Norwell, USA, Kluwer Academic Publishers, 1998)
  6. S.K. Ram, S. Kumar. 2007. Доступно на: http://arxiv.org/pdf/cond-mat/0702381.pdf
  7. E.F. Schubert. 2004. Доступно на: http://homepages.rpi.edu/schubert/Educational-resources/ Materials-Refractive-index-and-extinction-coefficient.pdf
  8. C.M. Herzinger, B. Johs, W.A. McGahan, J.A. Woollam, W. Paulson. J. Appl. Phys., 83 (6), 3323 (1998)
  9. RefractiveIndex database. Доступно на: 8.814 http://refractiveindex.info/?group=CRYSTALS\&material=ITO; http://refractiveindex.info/?group=METALS\&material=Aluminium; http://refractiveindex.info/legacy/?group=CRYSTALS\& material=poly-Si
  10. E.D. Palic. Handbook of Optical Constants of Solids (N.Y., Academic Press, 1997)
  11. L.W. Barron, J. Neidrich, S.K. urinec. Thin Sol. Films, 515 (7-8), 3363 (2007)
  12. S.H. Lin, Y.C. Chan, D.P. Webb, Y.W. Lam. J. Non-Cryst. Sol. 276 (1-3), 35 (2000)
  13. J. Meier, S. Dubail, R. Fluckiger, D. Fischer, H. Keppner, A. Shah. Proc. IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Waikoloa, Hawaii, 1994) p. 409
  14. С. Summonte, M. Allegrezza, M. Canin, M. Bellettato, A. Desalvo. Res. Appl. Mater., 1 (1), 6 (2013)
  15. M.J. Powell, S.C. Deane. Phys. Rev. B, 53 (15), 10121 (1996)
  16. A.H. Mahan. In: Properties of Amorphous Silicon and its Alloys (ed. by Tim Searle University of Sheffield, UK, 1998) p. 39
  17. W.R. Fahrner. Amorphous Silicon / Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells (joint Berlin, Springer and Beijing, Chemical Industry Press, 2013)
  18. В.М. Емельянов, А.С. Абрамов, А.В. Бобыль, А.С. Гудовских, Д.Л. Орехов, Е.И. Теруков, Н.Х. Тимошина, О.И. Честа, М.З. Шварц. ФТП, 47 (5), 667 (2013)
  19. А.В. Саченко, А.И. Шкребтий, Т.В. Паничевская. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 21, 63 (1991)
  20. A.V. Sachenko, A.V. Gorban'. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2 (2), 42 (1999)
  21. A. Vlooswij. Growth \& Characterization of p-type Transparent Oxide Semiconductors. Master of Science Thesis (ed. by University of Twente, the Netherlands, 2005)
  22. C. Chen, Z. Ji, C. Wang, L. Zhao, Q. Zhou. Mater. Lett., 60 (25-26), 3096 (2006)
  23. М. Calnan, A.N. Tiwari. Thin Sol. Films, 518 (7), 1839 (2010)
  24. А.В. Саченко, В.П. Костылев, Н.Р. Кулиш, И.О. Соколовский, А.И. Шкребтий. ФТП, 48 (5), 693 (2014)
  25. S.M. Malik, S.K. O'Leary. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 16 (3), 177 (2005)
  26. M. Nath, S. Chakraborty, E.V. Johnson, A. Abramov, P. Roca, I. Cabarrocas, P. Chatterjee. EPJ Photovolt., 2, 20 101 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme