"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN--ZnS : Mn
Курдюков Д.А.1, Шишкин И.И.1, Грудинкин С.А.1, Ситникова А.А.1, Заморянская М.В.1, Голубев В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Изготовлен пленочный трехмерно-упорядоченный макропористый нанокомпозит GaN-ZnS : Mn со структурой инвертированного опала. Проведены структурные исследования нанокомпозита, и показано, что GaN и ZnS : Mn, введенные в поры кремнеземного опала, представляют собой разориентированные друг относительно друга нанокристаллиты. Показано, что синтезированный нанокомпозит является структурно-совершенным трехмерным фотонным кристаллом. Подтверждена эффективность применения буфера из нанокристаллитов GaN для предотвращения взаимодействия поверхности формирующих опаловую матрицу сферических частиц a-SiO2 с введенными в поры химически активными веществами.
  1. L. Merhari. Hybrid Nanocomposites for Nanotechnology: Electronic, Optical, Magnetic and Biomedical Applications (Springer-Verlag, 2009)
  2. Д.А. Курдюков. Нанотехника, 4, 18 (2007)
  3. В.Г. Балакирев, В.Н. Богомолов, В.В. Журавлев, Ю.А. Кумзеров, В.П. Петрановский, С.Г. Романов, Л.А. Самойлович. Кристаллография, 38, 111 (1993)
  4. S.G. Romanov, A.V. Fokin, R.M. De La Rue. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 3593 (1999)
  5. G.M. Gajiev, V.G. Golubev, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel`kin, V.V. Travnikov. Phys. Rev. B, 72, 205 115 (2005)
  6. G.M. Gajiev, D.A. Kurdyukov, V.V. Travnikov. Nanotechnology, 17, 5349 (2006)
  7. L. Zhou, D.S. Boyle, K. Govender, P. O'Brien. J. Exp. Nanosci., 1, 221 (2006)
  8. A. Blanco, E. Chomski, S. Grabtchak, M. Ibisate, S. John, S.W. Leonard, C. Lopez, F. Meseguer, H. Mi guez, J.P. Mondia, G.A. Ozin, O. Toader, H.M. van Driel. Nature (London), 405, 437 (2000)
  9. Y.A. Vlasov, X.-Z. Bo, J.C. Sturm, D.J. Norris. Nature (London), 414, 289 (2001)
  10. V.G. Golubev, J.L. Hutchison, V.A. Kosobukin, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, J. Sloan, L.M. Sorokin. J. Non-Cryst. Solids, 299/302, 1062 (2002)
  11. L.K. Vugt, A.F. Driel, R.W. Tjerkstra, L. Bechger, W.L. Vos, D. Vanmaekelbergh, J.J. Kelly. Chem. Commun., 18, 2054 (2002)
  12. A.A. Zakhidov, R.H. Baughman, Z. Iqbal, C. Cui, I. Khayrullin, S.O. Dantas, J. Marti, V.G. Ralchenko. Science, 282, 897 (1998)
  13. H. Kajii, H. Take, K. Yoshino. Synthetic Metals, 121, 1315 (2001)
  14. D.A. Kurdyukov, N.A. Feoktistov, A.V. Nashchekin, Yu.M. Zadiranov, A.E. Aleksenskii, A.Ya. Vul', V.G. Golubev. Nanotechnology, 23, 015 601 (2012)
  15. A.E. Aliev, S.B. Lee, A.A. Zakhidov, R.H. Baughman. Physica C, 453, 15 (2007)
  16. K.A. Arpin, M.D. Losego, P.V. Braun. Chem. Mater., 23, 4783 (2011)
  17. J.C. Kim, Y.N. Kim, N.H. Hur, W. S. Kim, Y.G. Kang. Phys. Status. Solidi B, 241, 1585 (2004)
  18. A. Blanco, H. Mi guez, F. Meseguer, C. Lopez, F. Lopez-Tejeira, J. Sanchez-Dehesa. Appl. Phys. Lett., 78, 3181 (2001)
  19. S.-L. Kuaia, G. Badera, A. Hachea, V.-V. Truonga, X.-F. Hub. Thin Solid Films, 483, 136 (2005)
  20. B.H. Juares, M. Ibisate, J.M. Palacios, C. Lopez. Adv. Mater., 15, 319 (2003)
  21. E.C. Nelson, N.L. Dias, K.P. Bassett, S.N. Dunham, V. Verma, M. Miyake, P. Wiltzius, J.A. Rogers, J.J. Coleman, X. Li, P.V. Braun. Nature Mater., 10, 676 (2011)
  22. G. Gajiev, V.G. Golubev, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, A.V. Selkin, V.V. Travnikov. Phys. Status Solidi B, 231, R7 (2002)
  23. H.M. Yates, M.E. Pemble, E. Palacious-Lindon, F. Garci a-Santamari a, I. Rodri guez, F. Meseguer, C. Lopez. Adv. Funct. Mater., 15, 411 (2005)
  24. E. Palacios-Lidon, H.M. Yates, M.E. Pemble, C. Lopez. Appl. Phys. B, 81, 205 (2005)
  25. D.A. Kurdyukov, N.F. Kartenko, V.G. Golubev. J. Alloys Compd., 492, 611 (2010)
  26. В.Г. Голубев, Д.А. Курдюков, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский, Р. Боейинк. ФТП, 36, 1122 (2002)
  27. F. Garci a-Santamari a, M. Ibisate, I. Rodri guez, F. Meseguer, C. Lopez. Adv. Mater., 15, 788 (2003)
  28. G.A. Emelchenko, A.A. Zhokhov, V.M. Masalov, M.Yu. Maximuk, T.N. Fursova, A.V. Bazhenov, I.I. Zverkova, S.S. Khasanov, E.A. Steinman, A.N. Tereshenko. Nanotechnology, 21, 475 604 (2010)
  29. J.S. King, C.W. Neff, C.J. Summers, W. Park, S. Blomquist, E. Forsythe, D. Morton. Appl. Phys. Lett., 83, 2566 (2003)
  30. J.D. Joannopoulos, S.G. Johnson, J.N. Winn, R.D. Meade. Photonic Crystals: Molding the Flow of Light. 2nd edn. (Princeton Univ. Press, 2008)
  31. A.L. Pokrovsky, V. Kamaev, C.Y. Li, Z.V. Vardeny, A.L. Efros, D.A. Kurdyukov, V.G. Golubev. Phys. Rev. B, 71, 165 114 (2005)
  32. V.Yu. Davydov, V.G. Golubev, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, N.V. Sharenkova, P. Brogueira, R. Schwarz. Nanotechnology, 11, 291 (2000)
  33. Л.И. Арутюнян, В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, В.В. Попов, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова. ФТТ, 39, 586 (1997)
  34. S.A. Grudinkin, S.F. Kaplan, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, V.G. Golubev. J. Phys. Chem. C, 112, 17 855 (2008)
  35. T.V. Murzina, E.M. Kim, R.V. Kapra, I.V. Moshnina, O.A. Aktsipetrov, D.A. Kurdyukov, S.F. Kaplan, V.G. Golubev, M.A. Bader, G. Marowsky. Appl. Phys. Lett., 88, 022 501 (2006)
  36. A.V. Baryshev, T. Kodama, K. Nishimura, H. Uchida, M. Inoue. J. Appl. Phys., 95, 7336 (2004)
  37. S.F. Kaplan, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, V.G. Golubev. Appl. Phys. Lett., 86, 071 108 (2005)
  38. S.F. Kaplan, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.G. Badalyan, V.G. Golubev. Phot. Nano. Fund. Appl., 5, 37 (2007)
  39. Е.Ю. Трофимова, А.Е. Алексенский, С.А. Грудинкин, И.В. Коркин, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев. Коллоид. журн., 73, 535 (2011)
  40. H.E. Gumlich. J. Lumin., 23, 73 (1981)
  41. H.K. Perkins, M.J. Sienko. J. Chem. Phys., 46, 2398 (1967)
  42. T. Minami, T. Miyata, S. Takata, I. Fukuda. Jpn. J. Appl. Phys., 30, 117 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.