"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
Сибирмовский Ю.Д.1, Васильевский И.С.1, Виниченко А.Н.1, Еремин И.С.1, Жигунов Д.М.2, Каргин Н.И.1, Коленцова О.С.1, Мартюк П.А.1, Стриханов М.Н.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Методом капельной эпитаксии выращены образцы эпитаксиальных структур с квантовыми кольцами GaAs/AlGaAs различной морфологии. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 20-90 и 300 K, обнаружены интенсивные пики в оптическом диапазоне, связанные с размерным квантованием энергии носителей в квантовых кольцах. Принадлежность пиков установлена оценочным расчетом энергии основного состояния электронов и дырок в квантовых кольцах GaAs, а также измерением спектров образцов после стравливания слоев с квантовыми кольцами. Средние размеры квантовых колец определены методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения эпитаксиальных структур с квантовыми кольцами.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  2. J.H. Dai, Y. Lin, S.C. Lee. IEEE Photon. Tech. Lett., 19 (19), 1511 (2007)
  3. R.A. Romer, M.E. Raikh. Phys. Rev. B 62 (11), 7045 (2000)
  4. F. Ding, N. Akopian, B. Li, U. Perinetti, A. Govorov, F.M. Peeters, C.C. Bof Bufon, C. Deneke, Y.H. Chen, A. Rastelli, O.G. Schmidt, V. Zwiller. Phys. Rev. B 82 (7), 075 309 (2010)
  5. N. Koguchi, S. Takahashi, T. Chikyow. J. Cryst. Growth, 111 (3), 688 (1991)
  6. T T. Kuroda, T. Mano, T. Ochiai, S. Sanguinetti, K. Sakoda, G. Kido, N. Koguchi. Phys. Rev. B 72 (20), 205 301 (2005)
  7. Z.Y. AbuWaar, Y.I. Mazur, J.H. Lee. J. Appl. Phys., 101 (2), 024 311 (2007)
  8. J.S. Kim. J. Korean Phys. Soc., 53 (4), 2138 (2008)
  9. T. Mano, N. Koguchi. J. Cryst. Growth, 278 (1), 108 (2005)
  10. И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, И.С. Еремин, Д.М. Жигунов, Н.И. Каргин, Ю.Д. Сибирмовский, М.Н. Стриханов. Вестн. НИЯУ МИФИ, 2 (3), 267 (2013)
  11. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (Singapure, World Scientific, 1996)
  12. Y. Chen, R. Cingolani, L.G. Andreani, F. Bassani. Il Nuovo Cimento, 10 D (7), 847 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.